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公开(公告)号：CN103178154B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210366771.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有高致密、单一四方相结构铜锌锡硫光伏电池吸收材料的高压制备方法，属于半导体光电材料和新能源材料领域。其特征是以硫化亚铜(Cu2S)，硫化锌(ZnS)和二硫化锡(SnS2)三种化合物粉末为原料，通过在高压条件下高温烧结制备铜锌锡硫材料。将硫化亚铜，硫化锌和二硫化锡三种化合物粉末按等摩尔数配比混合，在合成压力为3～10GPa，合成温度为500～1500℃条件下，高温烧结制备出结构为单一四方相，Cu，Zn，Sn和S的原子比为2∶1∶1∶4，具有高致密度，晶粒尺寸大于1微米的铜锌锡硫光伏电池吸收材料。本方法具有制备工艺简单，反应时间短，成分和结构可控，成本低廉，生产过程绿色无污染等优点，可用于大批量铜锌锡硫光伏电池吸收材料的生产。
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公开(公告)号：CN109378362B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811170363.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种用CuAlO2过渡层提高铜锌锡硫硒太阳电池效率的方法,属于光电子半导体和太阳电池领域。本发明的目的在于通过在传统结构(SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i‑ZnO/ITO/Al)的CZTSSe太阳电池背电极Mo和CZTSSe吸收层之间增加一层CuAlO2(CAO)非晶薄膜，阻碍硒化时Se蒸气和CZTSSe中的Se与Mo的反应，减小Mo(S,Se)2层的厚度，抑制二次相的生成，提高CZTSSe的晶体质量，从而提高光电转换效率。本发明利用磁控溅射制备CAO薄膜，溶液法制备CZTSSe薄膜。当CAO层厚度为10.6nm时，可使太阳电池转换效率提高24％。
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公开(公告)号：CN109378362A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811170363.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种用CuAlO2过渡层提高铜锌锡硫硒太阳电池效率的方法,属于光电子半导体和太阳电池领域。本发明的目的在于通过在传统结构(SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/ITO/Al)的CZTSSe太阳电池背电极Mo和CZTSSe吸收层之间增加一层CuAlO2(CAO)非晶薄膜，如图1所示，阻碍硒化时Se蒸汽和CZTSSe中的Se与Mo的反应，减小Mo(S,Se)2层的厚度，抑制二次相的生成，提高CZTSSe的晶体质量，从而提高光电转换效率。本发明利用射频磁控溅射制备CAO薄膜，溶液法制备CZTSSe薄膜。当CAO层厚度为10.6nm时，可使太阳电池转换效率提高24％。
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公开(公告)号：CN103400903A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310355152.9
申请日：2013-08-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C01G19/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种高致密，大晶粒，四方结构铜锌锡硫薄膜材料的制备方法，属于半导体光电材料和新能源材料领域，其特征是以醋酸铜（Cu(CH3OO)2·H2O）、醋酸锌（Zn(CH3COO)2）、氯化锡（SnCl2）、硫脲（CN2H4S）等四种化合物为原料，利用旋涂法制成铜锌锡硫薄膜后，通过密封石英管高温硫化过程制备出高致密度、结晶质量好的铜锌锡硫薄膜材料，本方法具有制备工艺简单，反应时间短，成分和结构可控，成本低廉，生产过程无污染等优点，可用于大批量铜锌锡硫薄膜光伏电池吸收材料的生产。
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公开(公告)号：CN103303970A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310259146.3
申请日：2013-06-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G19/00 , H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种带隙受镁杂质浓度调控的铜锌锡硫（Cu2ZnSnS4）薄膜的制备方法，其特征是以氯化镁、醋酸铜、醋酸锌、氯化亚锡、硫脲为原料，利用溶胶凝胶技术制备出镁含量不同的铜锌锡硫薄膜，当镁与锌的比例在0到0.8范围内变化时，对应的带隙可在1.54到1.22eV之间变化，本方法工艺简单，成本低廉，掺杂元素无毒无害，可用于制备具有不同带隙的铜锌锡硫吸收层的叠层太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101224878A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810050302.4
申请日：2008-01-23
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/076 , B82B3/00
Abstract: 本发明的一种立方相纳米氮化锆的球磨制备方法属于纳米材料的技术领域。以普通氮化锂和四氯化锆为原料，利用高能球磨技术完成氮化锂和四氯化锆化学反应，制备出包含立方结构氮化锆的反应产物。将球磨反应产物分别用无水乙醇，稀盐酸和去离子水洗涤除去氯化锂和过量的氮化锂。烘干沉淀物即可制成粒径为30～100nm的立方相纳米氮化锆粉体。本发明是以普通氮化锂粉体和四氯化锆粉体为原料制备产物纯度高的纳米氮化锆的方法，工艺简单，成本低廉，适合于大批量生产纳米氮化锆颗粒。
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公开(公告)号：CN1070829C
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN98126248.1
申请日：1998-12-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/5835
Abstract: 本发明属块状的铁氮纳米复合材料的制备方法。以Fe或FeO为铁源，以固态h-BN为氮源，按体积比1：(15～0.38)制成混料；将混料与不锈钢球放在一起在氩气保护下球磨(20～80)h；再在压机上进行高温高压处理，制得块状ε-FexN/BN纳米复合材料。本发明的方法成本低，产量高，工艺简单，所得产品ε-FexN均匀分布在BN基体上，结合牢固，界面清洁，并为块状，能直接在实际中应用。
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公开(公告)号：CN1229771A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN98126248.1
申请日：1998-12-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/5835
Abstract: 本发明属块状的铁氮纳米复合材料的制备方法。以Fe或FeO为铁源,以固态h－BN为氮源,按体积比1∶(15～0.38)制成混料;将混料与不锈钢球放在一起在氩气保护下球磨(20～80)h;再在压机上进行高温高压处理,制得块状ε－FexN/BN纳米复合材料。本发明的方法成本低,产量高,工艺简单,所得产品ε－FexN均匀分布在BN基体上,结合牢固,界面清洁,并为块状,能直接在实际中应用。
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公开(公告)号：CN103159410B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310081464.5
申请日：2013-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供的p型硫银共掺氧化锌薄膜的水热制备方法属于光电子半导体和纳米材料领域。以水为溶剂，硝酸锌或醋酸锌或硝酸锌和醋酸锌混合体为锌源，吡啶、正丁胺为碱源，四甲基硫脲为硫源，氯化银或硝酸银为银源，硝酸铵为调节剂，氮气或氩气为填充气；采用中低温水热合成技术，在预先制备有ZnO籽晶层的衬底上外延生长含有Ag和S的ZnO薄膜；然后用去离子水冲洗薄膜表面，并在120℃恒温箱中干燥10min，最终得到具有六方结构并沿c轴高度择优取向的p型硫银共掺氧化锌薄膜。本发明制备工艺简单，制备成本低廉，可重复制备出具有较好晶体质量和电学性能的p型硫银共掺氧化锌薄膜。
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公开(公告)号：CN103178154A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210366771.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有高致密、单一四方相结构铜锌锡硫光伏电池吸收材料的高压制备方法，属于半导体光电材料和新能源材料领域。其特征是以硫化亚铜(Cu2S)，硫化锌(ZnS)和二硫化锡(SnS2)三种化合物粉末为原料，通过在高压条件下高温烧结制备铜锌锡硫材料。将硫化亚铜，硫化锌和二硫化锡三种化合物粉末按等摩尔数配比混合，在合成压力为3～10GPa，合成温度为500～1500℃条件下，高温烧结制备出结构为单一四方相，Cu，Zn，Sn和S的原子比为2∶1∶1∶4，具有高致密度，晶粒尺寸大于1微米的铜锌锡硫光伏电池吸收材料。本方法具有制备工艺简单，反应时间短，成分和结构可控，成本低廉，生产过程绿色无污染等优点，可用于大批量铜锌锡硫光伏电池吸收材料的生产。
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