公开(公告)号：CN109378362B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201811170363.4

申请日：2018-10-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 姚斌 ,  宋燕平 ,  李永峰 ,  刘瑞健 ,  丁战辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种用CuAlO2过渡层提高铜锌锡硫硒太阳电池效率的方法,属于光电子半导体和太阳电池领域。本发明的目的在于通过在传统结构(SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i‑ZnO/ITO/Al)的CZTSSe太阳电池背电极Mo和CZTSSe吸收层之间增加一层CuAlO2(CAO)非晶薄膜，阻碍硒化时Se蒸气和CZTSSe中的Se与Mo的反应，减小Mo(S,Se)2层的厚度，抑制二次相的生成，提高CZTSSe的晶体质量，从而提高光电转换效率。本发明利用磁控溅射制备CAO薄膜，溶液法制备CZTSSe薄膜。当CAO层厚度为10.6nm时，可使太阳电池转换效率提高24％。

公开(公告)号：CN109378362A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811170363.4

申请日：2018-10-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 姚斌 ,  宋燕平 ,  李永峰 ,  刘瑞健 ,  丁战辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种用CuAlO2过渡层提高铜锌锡硫硒太阳电池效率的方法,属于光电子半导体和太阳电池领域。本发明的目的在于通过在传统结构(SLG/Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/ITO/Al)的CZTSSe太阳电池背电极Mo和CZTSSe吸收层之间增加一层CuAlO2(CAO)非晶薄膜，如图1所示，阻碍硒化时Se蒸汽和CZTSSe中的Se与Mo的反应，减小Mo(S,Se)2层的厚度，抑制二次相的生成，提高CZTSSe的晶体质量，从而提高光电转换效率。本发明利用射频磁控溅射制备CAO薄膜，溶液法制备CZTSSe薄膜。当CAO层厚度为10.6nm时，可使太阳电池转换效率提高24％。