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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1037386C
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN95119375.9
申请日：1995-12-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 金刚石膜上的薄层硅结构属用于制作电子器件的芯片材料。制备过程大致是在键合单晶硅(5)上顺次形成SiO2过渡层(6)、金刚石膜(7)、Si3N4保护层(8)，其上再生长的多晶硅经氧化形成键合二氧化硅层(3)。键合单晶硅(5)上形成的键合二氧化硅层(3)跟衬底单晶硅(1)上的衬底二氧化硅层(2)经亲水处理、水中密合、高温键合及退火处理形成SOD结构。本发明SOD结构薄层硅晶格完整、键合牢固、成品率高；制作电子器件具有良好的抗辐射性能、导热性能和绝缘性能。
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公开(公告)号：CN1132267A
公开(公告)日：1996-10-02
申请号：CN95119376.7
申请日：1995-12-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 在单晶硅上大面积(100)取向金刚石膜的生长方法，是将单晶硅衬底在金刚石粉中研磨产生划痕，以H2、CH4、CO为反应气体，采用微波制膜技术，控制系统压力30～45torr范围，严格控制衬底温度在870～890℃范围，并使衬底以0.2～1转/分的转速匀速转动，可制备大面积均匀生长的(100)取向的金刚石膜。本发明具有工艺简单、设备少、对衬底的解理面要求宽松、生长速度快，生长面积大等特点，适于生产。
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公开(公告)号：CN1109518A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94103623.5
申请日：1994-04-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明是含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及制作工艺，其结构按顺序为单晶硅薄层(3)、SiO2过渡层(5)、金刚石膜(2)、多晶硅(4)。其工艺是在单晶硅片上逐层生长SiO2过渡层，金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。
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公开(公告)号：CN1069134C
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN96102646.4
申请日：1996-02-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种检测NO2的LB膜修饰的悬栅场效应型气体传感器及制作方法。其结构为在悬栅场效应晶体管的包括栅区的整个表面拉制6～60nm厚的钴卟啉季胺盐或硫化酞菁铜或它们的衍生物的LB膜。制备过程为将悬栅场效应管的芯片在漂有LB膜的液体中拉过，使LB膜附于芯片表面，再在真空中干燥；反复拉膜干燥使LB膜达合适厚度，切割成单个芯片引AL电极。本发明的气体传感器灵敏度高、选择性好、响应迅速、一致性好，工艺简单，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN1272557A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99127573.X
申请日：1999-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/513
Abstract: 本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺,包括前处理—形成等离子体球—调整压力—生长金刚石膜—后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研;之后在H2气氛中启动微波形成等离子体球;再按顺序调整CH4与H2比例、微波功率、气压和温度;最后在低气压下生长金刚石膜;后处理是在硅衬底上加负偏压,保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力,完全适合于硅片键合技术要求。
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