公开(公告)号：CN115915896A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310063279.7

申请日：2023-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 ,  谢亮军 ,  刘紫航 ,  郭逢凯

IPC: H10N10/853 ,  H10N10/817 ,  H10N10/82 ,  H10N10/01 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。