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公开(公告)号：CN116391458A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180073854.0
申请日：2021-10-28
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供不需要支撑体及焊接材料、且能够一次性高效地制作多个薄型的热电转换组件的热电转换组件的制造方法，该方法包括下述工序(A)～(D)：(A)将P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片隔开地配置在支撑体上的工序；(B)在P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间填充绝缘体，得到由P型热电转换材料的芯片、N型热电转换材料的芯片及绝缘体形成的一体化物的工序；(C)将上述工序(B)中得到的一体化物从支撑体剥离的工序；(D)在上述工序(C)之后的一体化物中，经由电极将P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间连接的工序。
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公开(公告)号：CN113632252A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024639.7
申请日：2020-03-26
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层中的热电转换材料的电导率得到提高的热电性能高的热电转换材料层及其制造方法，所述热电转换材料层是由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层，其中，所述热电转换材料层具有空隙部，将所述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中所述热电半导体组合物的面积所占的比例设为填充率时，所述填充率为0.800以上且小于1.000。
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公开(公告)号：CN112823430A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980064492.1
申请日：2019-10-02
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供无需支撑基板、能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电半导体材料的退火处理、并能够以最优的退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换组件用中间体的制造方法，其是包含由热电半导体组合物形成的P型热电元件层及N型热电元件层的热电转换组件用中间体的制造方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述P型热电元件层及N型热电元件层的工序；(B)对在所述工序(A)中得到的所述P型热电元件层及N型热电元件层进行退火处理的工序；(C)在所述工序(B)中得到的退火处理后的P型热电元件层及N型热电元件层上形成包含固化性树脂或其固化物的密封材料层的工序；以及(D)将所述密封材料层、以及在所述工序(B)及(C)中得到的P型热电元件层及N型热电元件层从所述基板剥离的工序。
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公开(公告)号：CN107112409B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201580069409.1
申请日：2015-12-24
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN110168759A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780076510.9
申请日：2017-12-07
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN103229251B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180049913.7
申请日：2011-07-20
申请人： 琳得科株式会社
CPC分类号： H01L51/442 , C08J7/045 , C08J7/047 , C08J2323/06 , C09J7/381 , C09J9/02 , C09J11/08 , C09J2201/602 , C09J2203/322 , C09J2429/00 , C09J2433/00 , C09J2479/02 , C09J2481/00 , H05K1/0274 , Y10T156/10
摘要： 本发明提供表面电阻率低、透明性高的透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜为在设置于透明基材的至少一面的导电性金属网层的开口部具有粘结性的导电层的透明导电性薄膜，其特征在于，导电层由含有水溶性乙烯聚合物A、有机添加剂B以及导电性有机高分子化合物C的导电性粘结剂组合物形成，有机添加剂B为选自水溶性多元醇、水溶性吡咯烷酮类和亲水性的非质子性溶剂中的至少一种，导电性有机高分子化合物C为选自聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类以及它们的衍生物中的至少一种。此外，本发明提供以具有上述透明导电性薄膜为特征的电子装置、以及以在阴极层上形成所述光电转换层，并在所述导电性粘结剂组合物软化的温度以上，将透明导电性薄膜的导电层与光电转换层表面贴合为特征的电子装置的制备方法。
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公开(公告)号：CN104115295A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380010650.8
申请日：2013-02-19
申请人： 国立大学法人九州工业大学 , 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供具有控制在纳米级的微孔的结构、导热率低、热电性能指数提高了的热电转换材料。热电转换材料，其是在包含具有微孔的嵌段共聚物的嵌段共聚物基板上形成有热电半导体层的热电转换材料，其中，前述嵌段共聚物由聚合物单元（A）与聚合物单元（B）构成，所述聚合物单元（A）包含均聚物的玻璃化转变温度为50℃以上的单体，所述聚合物单元（B）包含共轭二烯系聚合物。
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公开(公告)号：CN116368965A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180073852.1
申请日：2021-10-28
申请人： 琳得科株式会社
IPC分类号： H10N10/856
摘要： 本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件，其具备一体化物、第1电极和第2电极，上述一体化物包含绝缘体，该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成，上述第1电极位于上述一体化物的一面，其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极，上述第2电极位于上述一体化物的另一面，与上述第1电极对置，其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极，上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接，在上述热电转换组件的两面不具有基材。
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公开(公告)号：CN112602204A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055839.6
申请日：2019-08-27
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了该芯片(13)的热电转换组件的制造方法。所述热电转换材料的芯片的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(2)的工序；(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。所述热电转换组件的制造方法中使用了上述热电转换材料的芯片的制造方法得到的芯片。
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公开(公告)号：CN110494997A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201780089104.6
申请日：2017-10-24
申请人： 琳得科株式会社
摘要： 本发明提供一种能够保持热电性能且绝缘性优异的热电转换模块、及其制造方法，所述热电转换模块在热电元件层的至少一个面隔着绝缘层包含散热层，所述热电元件层是P型热电元件层和N型热电元件层在面内方向交替邻接且串联配置而成的，其中，所述绝缘层在23℃下的弹性模量为0.1～500GPa。
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