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公开(公告)号：CN114019481A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111232703.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G01S7/4863 , G01S7/487
Abstract: 本发明涉及一种单光子探测器芯片，用于与多脉冲激光器配合实现对单个光子的探测，单光子探测器芯片包括由若干个单光子探测单元组成的单光子探测单元阵列和偏置模块，单光子探测单元阵列和偏置模块集成在单片内，偏置模块与单光子探测单元阵列相连，单光子探测单元设有一次筛选电路和二次筛选电路，二次筛选电路的输入端与一次筛选电路的输出端相连，多脉冲激光器发射多脉冲的激光脉冲串，一次筛选电路对多器件接收的脉冲进行一次比较筛选，二次筛选电路采用延时电路对一次筛选电路输出的脉冲进行多路延时，并对多路延时脉冲进行二次比较筛选，提取有效脉冲。与现有技术相比，本发明具有高性能探测能力、输出功耗低、工作帧频高等优点。
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公开(公告)号：CN119297078A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411363000.8
申请日：2024-09-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种调控铁电器件易失与非易失性的方法，方法包括以下步骤：基于性质要求设定铁电器件的铁电层厚度、介电层厚度、铁电层介电常数和介质层介电常数；对所述铁电器件接入外加电激励，控制铁电器件呈现所述性质要求对应的易失或非易失性；若性质要求发生改变，则重新设定铁电器件的铁电层厚度、介电层厚度、铁电层介电常数和介质层介电常数。与现有技术相比，本发明具有提高铁电器件泛用性等优点。
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公开(公告)号：CN118212960A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410336051.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/419 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种优化非易失SRAM单元及其控制方法，SRAM单元包括两个1S1C结构的非易失数据存储单元、两个晶体管单元、字线WL、第一位线BL、第二位线BLb和电源电压线PWL，所述两个1S1C结构的非易失数据存储单元分别为第一单元和第二单元，所述第一单元由选通管SL和铁电电容CL串联构成，所述第二单元由选通管SR和铁电电容CR串联构成。与现有技术相比，本发明具有克服传统的SRAM的易失特性，降低片上系统的功耗，提高数据存储和恢复的准确率，减小非易失SRAM单元的常规操作的干扰和功耗，提高寿命等优点。
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公开(公告)号：CN114199374B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111385560.X
申请日：2021-11-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种感算一体的单光子成像芯片及方法，其中，芯片主要由单光子感光计数阵列、卷积计算列处理电路、行选电路等组成。事先将卷积权重写入到列处理电路中，芯片阵列的像素实现对光子数的计数并将光子数寄存在像素内，时序控制电路将芯片阵列内的光子数据逐行传输到列处理电路中，并和预存的卷积权重进行乘加计算，从而实现了阵列光子图像和卷积核权重的卷积计算。该芯片在传统的单光子成像架构内融合卷积计算功能，具有感算一体的特性。该芯片能够快速提取微弱图像特征，大幅度压缩了输出的单光子成像数据量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116471921A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310285328.1
申请日：2023-03-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种多时间尺度的神经突触器件及其制备方法，其中器件结构包括衬底、绝缘层、背栅、背介质层、沟道、源极、漏极、顶介质层和顶栅；基于背介质层和顶介质层的材料，分别选择背栅和顶栅作为LTP调制栅或STP调制栅；在漏极施加读电压，源漏间的电阻值可以作为突触的权值。通过编码单个栅极刺激，器件可以实现多态长时程阻值转变以及不同弛豫时间的短时程阻值转变，进而通过同时编码顶栅和背栅的刺激过程，突触权值可以在不同初始态下发生短时程转变。与现有技术相比，本发明实现了多时间尺度的功能，长时程电阻可以作为网络权值，短时程电阻用于处理网络时序信息，加速计算，有助于推动高阶智能芯片的发展。
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公开(公告)号：CN116364164A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310306387.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种神经元器件耐久性测试及退化恢复方法，通过将固定电阻与并联外部电容或寄生电容的TS神经元器件串联，固定电阻未与TS器件相连的一端作为电压输入端，TS器件未与电阻相连的一端接地；在施加合适的恒定偏压下，TS器件两端的电压保持振荡行为，一个振荡周期TS器件完成一次开关。相比于以往的耐久性测试方案，本发明更易于实时监测多个开关周期的转变电压Vth、Vhold和相应的电压窗口VW，反映TS器件的退化规律。同时，本发明提出了一种在循环操作中通过提供负脉冲来抑制TS器件参数退化的器件退化恢复方法，能够显著抑制转变电压参数的漂移，使器件耐久性得到了有效提升。
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公开(公告)号：CN116258181A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111488369.8
申请日：2021-12-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及一种动态唤醒神经元电路及事件驱动神经网络系统，其中动态唤醒神经元电路包括可调电阻R1、电容C1、双向阈值转变器件TS和电容C2，可调电阻R1与电容C1串联，双向阈值转变器件TS与电容C2并联，可调电阻R1与电容C1的串联结构与双向阈值转变器件TS与电容C2的并联结构进行串联，双向阈值转变器件TS的一端与电容C1相连，另一端接地，可调电阻R1的一端接入激励信号，双向阈值转变器件TS与电容C1相连的连接点为电压输出端，双向阈值转变器件TS接地的一端为电流输出端，即事件信号输出端。与现有技术相比，本发明具有电路结构简单、利于高密度及大规模集成、面积小、能耗低等优点。
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公开(公告)号：CN115448830A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210137499.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 复旦大学
IPC: C07C51/265 , C07C63/06 , C07C63/331 , C07C45/36 , C07C49/67 , C07C49/786 , C07C29/50 , C07C31/04 , C07C51/215 , C07C53/02 , C07D231/12 , C07C27/12 , C07B33/00
Abstract: 本发明属于有机中间体合成技术领域，提供了一种光促进含有饱和碳氢键的化合物氧化的方法，将含有饱和碳氢键的化合物和催化剂混合，在氧气或空气氛围中，光照射及20℃‑100℃的温度条件下，含有饱和碳氢键的化合物发生氧化反应生成氧化产物。该方法是一种用光促进的烷烃化合物直接氧化方法，仅需在较低的温度下进行，官能团兼容性好，反应时间短，反应效率高，反应成本低，附加值高，操作简单，安全性好，是一种温和、绿色、环境友好型的氧化方法。
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公开(公告)号：CN113237562B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110399234.8
申请日：2021-04-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种具有盲元记忆和抑制功能的读出电路和红外探测器，在读出电路像元阵列的每个像元电路内通过忆阻器对像元的状态进行存储，当探测器的像元为盲元时，将该像元电路内的忆阻器写为高阻态，通过恒流偏置电路和反相器将忆阻器的高阻态转换为数字高电平，再写入到静态随机存储器中，然后关断忆阻器的恒流偏置电路节省功耗，利用静态随机存储器控制读出电路像元的复位管，关断盲元所在的读出电路的积分电路，从而抑制了盲元的负面影响。
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