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公开(公告)号：CN101688993A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021979.3
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2203/03
Abstract: 本发明以低成本提供反射光的利用效率优异、高画质的反射型或者半透过型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置具有多个像素，在上述多个像素的各个中具有使入射光向显示面反射的反射部，上述反射部包括：具有多个开口部的金属层；和夹着绝缘层、形成在上述金属层上的反射层，上述反射层的表面具有根据上述金属层的截面形状形成的多个凹部和凸部，上述金属层的上述多个开口部中相邻的两个开口部之间的距离中，最短的距离为0.3μm以上3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101529317A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038782.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2201/34
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种反射效率高的高画质的半透过型和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备反射区域的液晶显示装置，反射区域包括在具有多个凹部的金属层上形成的绝缘层、半导体层和反射层，在所述金属层的多个凹部之间，形成有多个分别具有底面、上表面和斜面的所述金属层的凸部，在设所述多个凸部各自的底面的宽度为a，底面与上表面之间的厚度为x，斜面相对于底面的倾斜角为θ，所述绝缘层、所述半导体层和所述反射层合计的厚度为y时，所述金属层的所述多个凸部的至少1个的底面的宽度a满足a≤2(x+y)/tanθ。
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公开(公告)号：CN101484839A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780024821.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133371 , G02F1/136227
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供一种高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具备使入射光向显示面反射的反射部的液晶显示装置，反射部包括绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层，在反射层的表面形成有第一凹部和位于第一凹部内侧的第二凹部，反射部包括绝缘层的厚度与半导体层的厚度的合计厚度互不相同的第一区域和第二区域，所述第一凹部和所述第二凹部根据所述绝缘层和所述半导体层中至少一方的截面形状而形成。
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公开(公告)号：CN113764517B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110613024.4
申请日：2021-06-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
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公开(公告)号：CN112711149B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011137059.7
申请日：2020-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 有源矩阵基板具备：多个TFT；层间绝缘层；公共电极，分离成分别作为触摸传感器电极发挥功能的多个分段；第一电介质层；多个像素电极；第二电介质层；以及多个触摸布线，各像素电极隔着第一电介质层与公共电极部分重叠，由此形成辅助电容，多个触摸传感器电极包括第一电极，多个触摸布线包括与第一电极电连接的第一布线以及与其他电极电连接的第二布线，第二布线在从基板的法线方向看时，横穿第一电极而延伸到其他电极，第二布线的一部分隔着第一电介质层和第二电介质层与第一电极重叠，由此形成触摸布线电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383160B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880015961.6
申请日：2018-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 原义仁
IPC: G02F1/1345
Abstract: 一种液晶显示装置，其特征在于，具备：一对基板(21、22)；液晶层(23)；密封构件(24)，其密封液晶层(23)；位置检测电极(42B)，其在阵列基板(22中)设置于第1区域(A1)；驱动器侧配线(34B)，其设置于第2区域(A2)，第2区域(A2)是在阵列基板(22)中与密封构件(24)的外侧对应的区域；配线(38)，其从位置检测电极(42B)向驱动器侧配线(34B)延伸；绝缘膜(35)，其具有用于将驱动器侧配线(34B)与配线(38)电连接的接触孔(CH4)；以及绝缘膜(41)，其覆盖接触孔(CH4)并且具有防湿性。
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公开(公告)号：CN113764517A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110613024.4
申请日：2021-06-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
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公开(公告)号：CN109313517B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201780035818.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G06F3/044
Abstract: 提供不使显示品质下降，而能够提高触摸感测的精度的具有触摸面板的显示装置及其制造方法。具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板。有源矩阵基板包括：多个像素电极、在与多个像素电极之间形成电容的多个对向电极、多条触摸检测用配线、第一绝缘层以及第二绝缘层。多条触摸检测用配线与多个对向电极的任意一个连接并对所连接的对向电极提供触摸检测用驱动信号。一个像素电极与一个对向电极之间配置有第二绝缘层。另外，一个触摸检测用配线上配置有第一绝缘层，该第一绝缘层上配置有所述第二绝缘层，该第二绝缘层上配置有一个对向电极。
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公开(公告)号：CN109643041B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780051922.7
申请日：2017-08-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , G06F3/044
Abstract: 提供能够提高触摸检测灵敏度的具有触摸面板的显示装置。具有触摸面板的显示装置具有有源矩阵基板、对向基板以及液晶层，在有源矩阵基板一侧具有触摸面。有源矩阵基板在基板的液晶层一侧具有多个像素电极、多个对向电极以及多条信号线。对向电极检测对触摸面的接触并在与像素电极之间形成电容，且与信号线连接。像素电极与对向电极以在俯视时重叠的方式配置，对向电极设置于比像素电极更靠近基板的位置。对向基板在与液晶层相反的一侧的面具有以与对向电极在俯视时重叠的方式配置的、具有参考电位(接地电位)的屏蔽电极。
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公开(公告)号：CN108028202B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680054850.7
申请日：2016-09-20
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 原义仁
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置具备：薄膜晶体管，其具有氧化物半导体层；以及配线连接部(201)，配线连接部(201)具备：下部导电部(3t)，其与栅极电极由同一导电膜形成；绝缘层(15)，其具有将下部导电部(3t)的至少一部分露出的接触孔(CH2)；以及上部导电部(19t)，其至少一部分配置在接触孔(CH2)内，绝缘层(15)包含栅极绝缘层(4)、保护层(9)以及层间绝缘层(13)，在接触孔的侧壁，栅极绝缘层(4)具有上段部(41)和位于上段部(41)的基板侧的下段部(42)，当从基板的法线方向观看时，下段部(42)的侧面位于比上段部(41)的侧面靠外侧，上部导电部(19t)在接触孔内与下部导电部(3t)以及栅极绝缘层(4)的下段部(42)的侧面和上表面接触。
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