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公开(公告)号：CN109755136A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811178458.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 提供能降低钝化膜的覆盖性的恶化的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。在本发明的薄膜晶体管的制造方法中，上述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极中的至少一方包括包含Al层和Al以外的金属层的多个金属层的层叠结构，且上述薄膜晶体管具有包括氧化物半导体的沟道层，上述薄膜晶体管的制造方法具有：导电膜形成工序，形成源极电极和漏极电极用的导电膜；图案化工序，对导电膜进行图案化而形成源极电极和漏极电极；钝化膜形成工序，形成钝化膜；以及热处理工序，进行热处理，在图案化工序和钝化膜形成工序之间具有先于热处理工序进行热处理的预热处理工序。
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公开(公告)号：CN109075122A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023732.4
申请日：2017-05-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L23/522 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。
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公开(公告)号：CN104641285B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201380048277.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。
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公开(公告)号：CN107851407A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040399.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备：遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。
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公开(公告)号：CN104641285A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048277.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101785086A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104150.X
申请日：2008-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/268 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供显示装置的制造方法和叠层构造体。本发明的显示装置的制造方法包括：准备在背面形成有剥离层的挠性基板的步骤；通过粘接层在挠性基板上形成的剥离层上粘贴支撑基板的步骤；在粘贴有支撑基板的挠性基板的表面形成规定的器件的步骤；和对于形成有器件的挠性基板，通过使剥离层剥离将支撑基板除去的步骤。
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公开(公告)号：CN101277886A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036493.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B65H18/00 , B65H18/08 , B65H2301/4127 , B65H2301/414324 , G02F1/1303 , G02F1/133305 , G02F1/133351
Abstract: 本发明公开了薄膜辊制造方法及制造装置、和薄膜辊。该薄膜辊制造方法为制造卷绕有薄膜基板(1)的薄膜辊(3b)的方法。该薄膜辊制造方法包括：在薄膜基板(1)的两端部及中间部，沿着该薄膜基板(1)的长边方向分别配置带状隔离物(2b、2c)的隔离物配置工序；以及隔着该被配置的各个隔离物(2b、2c)卷绕薄膜基板(1)的卷绕工序。
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公开(公告)号：CN1828885A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006650.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN115298722B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202080098351.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 掩模片(3)的边缘(6)与最靠近边缘(6)的蒸镀孔组(5G)之间的X方向上的边框宽度(W3)相对于相邻的两个蒸镀孔组(5G)在X方向上的间隔距离(W4)的比率被设定为规定的第一范围内的值，相邻的两个掩模片(3)之间的X方向上的间隔开口宽度(W1)相对于蒸镀孔(5)在X方向上的开口宽度(W2)的比率被设定为规定的第二范围内的值。
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公开(公告)号：CN108140341A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680037763.0
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/22
Abstract: 抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线(115)。在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。
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