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公开(公告)号:CN117402617A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311342544.1
申请日:2023-10-17
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于荧光材料合成技术领域,具体涉及一种具有自激活效应的蓝光荧光粉及其制备方法,该蓝光荧光粉的化学式为Li2Mg2W2O9或Li2Zn2W2O9;制备包括如下步骤:1)根据荧光粉的化学配比来称量镁/锌源、锂源和钨源,研磨均匀;2)将研磨均匀后的混合粉末置入氧化铝坩埚中,进行烧结,保温一段时间充分反应;3)冷却后将产物再次研磨均匀,得到具有自激活效应的蓝光荧光粉。本发明利用基质特殊的晶格结构,在空气气氛下获得了具有自激活效应的蓝光荧光粉;生成产物纯度高、合成条件简单、成本低廉且易于大规模制备;所制备的荧光粉内量子效率高达68.7%,发光强度较高且具有独特的蓝光发射特性。
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公开(公告)号:CN116285983A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310329168.6
申请日:2023-03-30
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明属于荧光材料合成技术领域,具体涉及一种具有自还原效应的锰掺杂红绿光荧光粉及其制备方法和应用;本发明利用基质特殊的晶格结构,在空气气氛下获得了Mn4+离子和Mn2+离子共掺杂的荧光粉,Mn4+离子在掺入该具有自还原效应的缺陷烧绿石结构后部分被还原成Mn2+,从而获得了能在不同激发波段发射出发光和绿光的荧光粉;本发明方法生成产物纯度高、合成条件简单、成本低廉且易于大规模制备;本发明所制备的荧光粉热稳定性较好,发光强度较高且具有独特的红绿光发射特性,因此适用于发光材料用于植物栽培LED、暖白光LED器件和光学防伪领域中。
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公开(公告)号:CN115821038A
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN202211579111.3
申请日:2022-12-08
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高烧结过程氧化铁皮配比的方法,属于氧化铁皮回收技术领域。本发明的一种提高烧结过程氧化铁皮配比的方法,先将至少部分氧化铁皮与铁矿粉一起进行预制粒,得到氧化铁皮小球;然后将氧化铁皮小球与剩余的氧化铁皮以及其他烧结料一起进行二次混合造粒,最后进行烧结。本发明通过预制粒可以有效解决氧化铁皮配加量较多对烧结产品质量指标的不利影响,因而提高氧化铁皮的添加比例。
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公开(公告)号:CN110756238A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201911198464.7
申请日:2019-11-29
Applicant: 安徽工业大学
IPC: B01L3/00 , G01N21/25 , G01N33/569 , C12N5/09
Abstract: 本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的双层微流控芯片,属于微流控技术领域。本发明的双层微流控芯片,包括上下对应设置且相互连通的上层芯片和下层芯片,上层芯片和下层芯片内均设有微柱阵列以实现对肿瘤细胞的多次捕获;且下层芯片内还设有碗形结构以聚集肿瘤细胞,当利用激光检测富集CTCs的特征光谱时信号增强,可以获得该肿瘤病人的肿瘤类型及基因蛋白质光谱特征。本发明的双层微流控芯片,克服了现有技术中肿瘤细胞捕获率不高的不足,其结构设计巧妙,可以根据需求对循环肿瘤细胞的捕获方法进行结合选用,提高了CTCs的捕获率,避免个别肿瘤细胞被遗漏。
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公开(公告)号:CN211358870U
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN201922116240.9
申请日:2019-11-29
Applicant: 安徽工业大学
IPC: B01L3/00 , G01N21/25 , G01N33/569 , C12N5/09
Abstract: 本实用新型公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的双层微流控芯片,属于微流控技术领域。本实用新型的双层微流控芯片,包括上下对应设置且相互连通的上层芯片和下层芯片,上层芯片和下层芯片内均设有微柱阵列以实现对肿瘤细胞的多次捕获;且下层芯片内还设有碗形结构以聚集肿瘤细胞,当利用激光检测富集CTCs的特征光谱时信号增强,可以获得该肿瘤病人的肿瘤类型及基因蛋白质光谱特征。本实用新型的双层微流控芯片,克服了现有技术中肿瘤细胞捕获率不高的不足,其结构设计巧妙,可以根据需求对循环肿瘤细胞的捕获方法进行结合选用,提高了CTCs的捕获率,避免个别肿瘤细胞被遗漏。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN213065988U
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202022181789.9
申请日:2020-09-27
Applicant: 安徽工业大学
IPC: F21S45/42 , F21S45/48 , F21V19/00 , F21V29/503 , F21V29/80 , F21V29/89 , F21W107/10 , F21Y115/10
Abstract: 本实用新型公开一种低熔点合金相变散热温控装置,属于温控散热技术领域。本实用新型的温控装置包括壳体,壳体底部设置用于安装LED芯片的卡槽,壳体内设置用于给LED芯片散热的第一散热结构,第一散热结构与壳体之间形成用于填充低熔点合金的相变容腔,低熔点合金的相变温度为70℃。本实用新型克服现有LED汽车前大灯散热性能不佳导致LED芯片使用寿命较低的不足,在温控装置的壳体内设置第一散热结构,第一散热结构可以实现热传导散热,同时在壳体内填充低熔点合金,在熔化时进行流动传热,且利用合金相变达到控温的目的,实现了散热与控温的结合,在改善散热效果同时,通过合金相变起到很好的控温作用。
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