半导体器件及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100555606C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200580051740.7

    申请日:2005-09-30

    Abstract: 本发明提供一种能够将金属布线和导电插塞良好地进行电连接的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:在硅衬底30上形成第一绝缘膜45的工序;在第一绝缘膜45上形成电容器Q的工序;形成覆盖电容器Q的第二绝缘膜55的工序;在第二绝缘膜55上形成金属布线65的工序;形成第一电容器保护绝缘膜66的工序,该第一电容器保护绝缘膜覆盖金属布线65和第二绝缘膜55;在金属布线65的旁边形成绝缘侧壁67a的工序;在绝缘侧壁67a上形成第三绝缘膜68的工序;以绝缘侧壁67a的蚀刻速度比第三绝缘膜68的蚀刻速度慢的条件蚀刻第三绝缘膜68,以此形成孔74a的工序;在孔74a内形成导电插塞77的工序。

    记录装置以及记录方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101443228A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200680054061.X

    申请日:2006-03-29

    Inventor: 永井孝一

    CPC classification number: G07C5/085 G01D9/005

    Abstract: 提供一种用于收集可详细地进行事故调查的信息的记录装置。FeRAM等记录部(11)以预定的记录间隔记录表示车辆的当前状态的车辆信息,事故级别判定部(12)根据由冲撞检测部(20)检测的对车辆的冲撞的大小来判定是否为事故;当判定为事故时,记录控制部(13)以比事故发生前的记录间隔小的记录间隔向记录部(11)中记录车辆信息。由此,能够利用所记录的事故发生前和事故发生后的车辆信息来更加详细地进行事故调查。

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