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公开(公告)号:CN1412822A
公开(公告)日:2003-04-23
申请号:CN02107681.2
申请日:2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法,该方法包括:背面研磨步骤,研磨半导体衬底的背面;切片步骤,在背面研磨步骤之后,沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片;以及激光辐照步骤,完成背面研磨步骤后,在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。
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公开(公告)号:CN1285615A
公开(公告)日:2001-02-28
申请号:CN00120070.4
申请日:2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 探针卡包括印刷板和多层基板。还可包括柔性衬垫。与芯片之一的电极相对的接触电极被配置在柔性衬垫上面或下面,或设在基板上的弹性物质上。第一布线有与接触电极连接的第一部分、从第一部分延伸到下面的基板的平面过渡部分和与多层基板上的内部端连接的连接端。基板的第二布线使内部端与外部端连接。印刷板上的第三布线使基板与印刷板的外部端连接。测试期间温度负载引起的内部端位移被第一布线的平面过渡部分补偿。本发明中,接触的不平整度可被补偿。
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