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公开(公告)号：CN101145546A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710146868.2
申请日：2007-08-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/05553 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/92247 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有优良散热特性结构。通过使用粘合剂材料将第一散热部设置在线路板上。通过使用粘合剂材料将半导体元件粘着在第一散热部上。通过引线将半导体元件与设置在线路板上的电极连接。通过使用导电粘合剂材料将覆盖半导体元件和引线的第二散热部接合至第一散热部。通过树脂密封第二散热部除其平坦上部之外的内部和外部。通过上述过程，制造了半导体器件。在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量从第一散热部的边缘部分释放出去。此外，在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量传送至导电粘合剂材料和第二散热部，并从第二散热部的平坦上部释放出去。
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公开(公告)号：CN1218368C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02107681.2
申请日：2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。
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公开(公告)号：CN1650426A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN02829497.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L24/50 , H01L24/75 , H01L24/79 , H01L24/81 , H01L24/86 , H01L25/0657 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/81121 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06551 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/06579 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明利用下述半导体装置来形成叠层型半导体装置，该半导体装置的特征在于：包括在一个主表面上配置有多个电极的半导体元件、以及在绝缘基板上配置有多个导电层的布线基板上述布线基板沿着上述半导体元件的外边缘部配置成大致コ字状；该布线基板中的上述导电层的一端连接到上述半导体元件的电极；并且上述导电层的另一端在该半导体元件的另一个主表面侧上、向与该半导体元件不同的方向引出。
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公开(公告)号：CN1181528C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00120070.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 探针卡包括印刷板和多层基板。还可包括柔性衬垫。与芯片之一的电极相对的接触电极被配置在柔性衬垫上面或下面，或设在基板上的弹性物质上。第一布线有与接触电极连接的第一部分、从第一部分延伸到下面的基板的平面过渡部分和与多层基板上的内部端连接的连接端。基板的第二布线使内部端与外部端连接。印刷板上的第三布线使基板与印刷板的外部端连接。测试期间温度负载引起的内部端位移被第一布线的平面过渡部分补偿。本发明中，接触的不平整度可被补偿。
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公开(公告)号：CN1529352A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410039657.5
申请日：2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置并经由第二布线与内部端连接的外部端；和具有将基板上的外部端连接到印刷板上的外部连接端的第三布线的印刷板。本发明还包括制作该探针卡的方法。在本发明中，接触的不平整度可被补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1271699C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410039657.5
申请日：2000-07-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/11 , H05K3/326
Abstract: 用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置并经由第二布线与内部端连接的外部端；和具有将基板上的外部端连接到印刷板上的外部连接端的第三布线的印刷板。本发明还包括制作该探针卡的方法。在本发明中，接触的不平整度可被补偿。
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公开(公告)号：CN1210760C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02108058.5
申请日：2002-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L2221/68322 , Y10S156/943 , Y10S438/976 , Y10T29/49824 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1983
Abstract: 在半导体制造工艺中，半导体晶片被切割成多个半导体芯片，然后用剥离装置将这些芯片从切割带上剥离下来。该剥离装置包括多个从外到里前后配置的可位移接触部件，该可位移接触部件可以被操作，使得半导体芯片可以连续地剥离切割带，从其外周部分向其中心部分剥离。
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公开(公告)号：CN1198327C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02105976.4
申请日：2002-04-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/67092 , B24B37/042 , B32B37/003 , B32B37/1018 , B32B38/0012 , B32B2310/0831 , B32B2457/14 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191 , Y10T428/1452 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。
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公开(公告)号：CN1414602A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02108058.5
申请日：2002-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L2221/68322 , Y10S156/943 , Y10S438/976 , Y10T29/49824 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1983
Abstract: 在半导体制造工艺中，半导体晶片被切割成许多半导体芯片，然后用剥离装置将这些芯片从切割带上剥离下来。该剥离装置包括许多从外到里前后配置的环形接触部件，该环形接触部件可以被操作，使得半导体芯片可以连续地剥离切割带，从其外周部分向其中心部分剥离。
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公开(公告)号：CN1412830A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02105976.4
申请日：2002-04-12
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/67092 , B24B37/042 , B32B37/003 , B32B37/1018 , B32B38/0012 , B32B2310/0831 , B32B2457/14 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191 , Y10T428/1452 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。
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