公开(公告)号：CN105023837B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410373955.1

申请日：2014-07-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭宏瑞 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83005

摘要： 本发明提供了种示例性器件,该器件包括管芯、沿着管芯的侧壁延伸的模塑料,以及位于管芯和模塑料上方的第聚合物层。第聚合物层具有第横向尺寸。该器件还包括位于第聚合物层上方的第二聚合物层。第二聚合物层具有第二横向尺寸,其中,第二横向尺寸小于第横向尺寸。本发明还涉及划线结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN108028229A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053250.9

申请日：2016-08-03

申请人： 美光科技公司

发明人： G·马里奥蒂尼 ,  S·瓦德哈维卡 ,  W·黄 ,  A·查杜鲁 ,  M·博斯勒

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

摘要： 本发明涉及用于裸片间及/或封装间互连件的凸块下金属UBM结构环的制造及相关联的系统。一种半导体裸片包含：半导体材料，其具有固态组件；及互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料。凸块下金属UBM结构形成于所述半导体材料上方且电耦合到对应互连件。套环包围所述UBM结构的侧表面的至少一部分，且焊接材料安置于所述UBM结构的顶面上方。

公开(公告)号：CN107924878A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047840.0

申请日：2016-07-05

申请人： 英帆萨斯公司

发明人： 塞普里昂·艾米卡·乌卓

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L21/324 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11442 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/1162 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13409 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/013

摘要： 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件；藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子；并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面；以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度，所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。

公开(公告)号：CN104377163B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410405897.6

申请日：2014-08-18

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： R·纳加拉贾 ,  陈福勤 ,  卢家辉 ,  易俊豪 ,  吴稼祺 ,  田晶泽 ,  P·R·耶勒汉卡 ,  R·库马尔

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/185 ,  B81B7/0006 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/033 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/85805 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。

公开(公告)号：CN104081520B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201280065963.9

申请日：2012-12-10

申请人： 美光科技公司

发明人： 杰斯皮德·S·甘德席 ,  布兰登·P·沃兹 ,  孙洋洋 ,  乔许·D·伍德兰

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明揭示一种集成电路构造，其包含两个或两个以上集成电路衬底的堆叠。所述衬底中的至少一者包含个别地包括相对端的衬底穿孔TSV。导电接合垫邻近所述一个衬底的一侧上的所述端的一者。导电焊料块邻近在所述一个衬底的另一侧上隆起地突出的另一端。所述焊料块中的个别者接合到所述堆叠的直接邻近衬底上的相应接合垫。环氧树脂助焊剂包围所述个别焊料块。在组成上与所述环氧树脂助焊剂不同的环氧树脂材料包围所述个别焊料块上的所述环氧树脂助焊剂。本发明还揭示形成集成电路构造的方法。

公开(公告)号：CN104205301B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201280071499.4

申请日：2012-08-17

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤隆 ,  西泽龙男 ,  木下庆人 ,  梨子田典弘

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。

公开(公告)号：CN103493191B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201280020504.9

申请日：2012-04-05

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 清野绅弥 ,  佐竹祥明

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16052 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/181 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3457 ,  H05K13/0465 ,  H05K2203/0278 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种电子元器件的多个外部端子与基板的表面电极的接合部不会与电子元器件的侧面发生接触的电子元器件模块的制造方法以及由该制造方法所制造出的电子元器件模块。多个凸点（6）由厚度较厚的部分即厚壁部和厚度较薄的部分即薄壁部所构成，在俯视电子元器件时，厚壁部位于相应的各个外部端子（2）的电子元器件的中央侧，薄壁部位于相应的各个外部端子（2）的与电子元器件的中央侧相反的一侧，以此方式在基板的一个面上分别形成厚壁部和薄壁部。使所形成的多个凸点（6）发生变形后与多个外部端子（2）接合而成的多个接合部（7）形成为，与俯视电子元器件时的电子元器件的中央侧的高度相比，与电子元器件的中央侧相反的一侧的高度较低。

公开(公告)号：CN104362980B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410543596.X

申请日：2010-06-03

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 拉贾戈帕兰·兰加拉詹 ,  钦玛雅·米什拉 ,  毛林·巴加特 ,  靳彰

IPC分类号： H03B21/00 ,  H01L23/64

CPC分类号： H03B21/00 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本发明涉及用于频率产生的设备和方法。一种宽带频率产生器具有用于不同频带的两个或两个以上振荡器，振荡器安置于倒装芯片封装内的同一裸片上。通过将一个电感器放置于裸片上且将另一电感器放置于封装上从而使电感器分隔开焊料凸块直径而减小两个振荡器的电感器之间的耦合。松弛耦合的电感器允许操纵所述振荡器中的一者的LC谐振电路以增加另一振荡器的带宽，反之亦然。可通过使另一振荡器的LC谐振电路负载较大电容(例如另一振荡器的粗调组的整个电容)来实现防止振荡器中的一者中的不合需要的振荡模式。还可通过降低另一振荡器的LC谐振电路的质量因数且借此增加谐振电路中的损耗来实现防止不合需要的模式。

公开(公告)号：CN103311238B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310067617.0

申请日：2013-03-04

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 渕上千加志

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/027 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10122 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/05442

摘要： 本发明目的在于提供能够切实防止静电破坏的半导体集成装置。具备：半导体衬底，在其主面形成有包含包围作为局部区域的第1扩散区域的第2扩散区域的静电保护电路；与该主面相对的金属焊盘；以及与金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台，在导电性凸台中的与金属焊盘的相对面上，在与上述第1扩散区域相对的范围内，设置与金属焊盘接触的突起部。

公开(公告)号：CN107017222A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610984517.8

申请日：2016-11-09

申请人： 安世有限公司

发明人： 梁志豪 ,  波姆皮奥·V·乌马里 ,  杨顺迪 ,  林根伟

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/013 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4853

摘要： 本发明公开一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。该装置包括具有主表面的半导体基板、位于该主表面上的一个或多个接触以及覆盖至少该主表面的包封物。每个接触的外围边缘限定主该表面上的接触面积。该装置还包括位于该包封物外部的一个或多个结合衬垫。每个结合衬垫通过穿过该包封物的相应金属填充通孔电连接到相应接触，该接触位于该基板的该主表面上。当从该基板的该主表面上方查看时，每个相应金属填充通孔的侧壁在该通孔与该相应接触接合的点处落入由该相应接触限定的该接触面积内，由此填充每个相应通孔的该金属都不会延伸到每个相应接触的该接触面积外部。