公开(公告)号：CN1218368C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN02107681.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  吉田英治 ,  早坂昇 ,  渡部光久

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。

公开(公告)号：CN1503339A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310119962.0

申请日：2003-11-26

Applicant: 东和株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 浦上浩 ,  中川长 ,  藤野欣也 ,  高濑慎二 ,  德山秀树 ,  目黑弘一 ,  西野徹 ,  早坂昇

IPC: H01L21/56 ,  B29C45/02

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，以下型(1)和上型(2)打开的状态，在基板支承部(11)设置基板(14)。然后，在模腔(5)内嵌入具有与下型(1)的模腔(5)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状的树脂材料(4)。接着，通过加热树脂材料(4)生成熔融树脂(17)。然后，在由上型(2)和下型(1)形成的空间被减压的状态下合上上型(2)和下型(1)，使晶片(15)和金属丝(16)浸入熔融树脂(17)。接着，通过熔融树脂(17)的固化，形成由基板(14)和固化树脂(18)构成的树脂成形品(19)。

公开(公告)号：CN101127313A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710142209.1

申请日：2003-11-26

Applicant: 东和株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 浦上浩 ,  中川长 ,  藤野欣也 ,  高濑慎二 ,  德山秀树 ,  目黑弘一 ,  西野徹 ,  早坂昇

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种固形树脂材料(22)，在使设置于金属模对(25，21)的模腔(26)中生成的熔融树脂(17)固化、对装载于基板(14)的主表面的电子元器件(15)进行树脂封装的树脂封装方法中，所述材料作为前述熔融树脂(17)的原料使用，其特征在于，前述树脂材料(22)具有与前述模腔(26)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状，前述固形树脂材料(22)中设置了切口部。

公开(公告)号：CN100373567C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200310119962.0

申请日：2003-11-26

Applicant: 东和株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 浦上浩 ,  中川长 ,  藤野欣也 ,  高濑慎二 ,  德山秀树 ,  目黑弘一 ,  西野徹 ,  早坂昇

IPC: H01L21/56 ,  B29C45/02

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: 首先，以下型(1)和上型(2)打开的状态，在基板支承部(11)设置基板(14)。然后，在模腔(5)内嵌入具有与下型(1)的模腔(5)的尺寸及形状相对应的尺寸及形状的树脂材料(4)。接着，通过加热树脂材料(4)生成熔融树脂(17)。然后，在由上型(2)和下型(1)形成的空间被减压的状态下合上上型(2)和下型(1)，使晶片(15)和金属丝(16)浸入熔融树脂(17)。接着，通过熔融树脂(17)的固化，形成由基板(14)和固化树脂(18)构成的树脂成形品(19)。

公开(公告)号：CN1198327C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02105976.4

申请日：2002-04-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 手代木和雄 ,  下别府祐三 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  吉田英治 ,  早坂昇

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B24B37/042 ,  B32B37/003 ,  B32B37/1018 ,  B32B38/0012 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T428/1452 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。

公开(公告)号：CN1412830A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02105976.4

申请日：2002-04-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 手代木和雄 ,  下别府祐三 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  吉田英治 ,  早坂昇

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B24B37/042 ,  B32B37/003 ,  B32B37/1018 ,  B32B38/0012 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T428/1452 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。

公开(公告)号：CN1412822A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02107681.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  吉田英治 ,  早坂昇 ,  渡部光久

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。