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公开(公告)号：CN1684785A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823200.6
申请日：2003-08-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F9/20 , B22F9/24 , G11B5/706 , G11B5/714 , G11B5/72 , G11B5/842 , H01F1/06 , H01F1/09
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0014 , B22F9/24 , B22F9/305 , B22F2998/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G11B5/70615 , G11B5/714 , G11B5/72 , G11B5/738 , G11B5/842 , H01F1/0063 , H01F1/14733 , Y10T428/2982 , B22F2201/10
Abstract: 一种合金纳米微粒的制造方法，其包括：在惰性气体气氛中，向从由碳数目为2～20的烃、醇、醚、酯构成的组中选出的有机溶剂中加入金属盐、还原剂、稳定配位体、以及有机铁络合物，从而得到反应溶液的步骤；和一边搅拌一边将该反应溶液加热至预定温度的步骤。其中，根据稳定配位体的量来控制合金纳米微粒的粒径。
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公开(公告)号：CN1040937C
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN88102627
申请日：1988-05-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L21/4846 , B32B18/00 , C04B35/4504 , C04B35/4512 , C04B35/4521 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C04B2237/86 , H01L21/76891 , H01L23/49888 , H01L39/2429 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种超导电路板，它包括含有氧化铝重量百分比大于99%的烧结氧化铝板和在此氧化铝板上形成的超导陶瓷互连电路图形。由于将Ti或Si联结剂加入形成此互连电路图形的涂料中，改进了互连电路图形与氧化铝板的粘合力。用铜粉代替铜氧化物粉作为涂料中形成超导陶瓷的一种成分有利于印制和获得均匀的超导陶瓷电路图形。
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公开(公告)号：CN1033060C
公开(公告)日：1996-10-16
申请号：CN89106104.5
申请日：1989-07-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 具有高比例的高TC相(分别是110K和约125K或更高)的Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系和Tl-Pb-Ba-Cu-O系的超导体已获得，这是通过加入形成CaO的钙化合物和一个液相在用于焙烧超导体，例如Ca2PbOX(X＝3或4)的温度下；或用由下列分子式表示的起始形式的组分：Bi2Pb(n-1)/2Sr2CanCun+lob′或Tl2Pb(n-1)/2Ba2CanCun+lob′这里2≤n≤10，9≤b≤40.5即比率Ca∶Pb为2∶1。
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公开(公告)号：CN100440324C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385508C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN02829763.6
申请日：2002-10-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/012 , G11B5/656 , G11B2005/0029 , Y10T428/24975
Abstract: 在衬底(31)的表面上方延伸的软磁底层(38)上形成辅助磁性层(37)。在辅助磁性层(37)上形成磁记录层(36)。辅助磁性层(37)在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上具有易磁化轴。在与衬底(31)表面垂直的垂直方向上磁记录层(36)中的磁化得到加强。辅助磁性层(37)起到放大沿垂直方向从磁记录层泄漏出的磁场的作用。
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公开(公告)号：CN1303587C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410083146.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。
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公开(公告)号：CN1839429A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN03827149.4
申请日：2003-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 垂直磁记录介质由基板和在基板上层压的各层构成，即，在基板上顺序层压软磁性内层、种子层、磁通狭缝层、非磁性中间层、记录层、保护膜、以及润滑层，磁通狭缝层13具有大致柱状结构的软磁性粒子，该软磁性粒子具有非磁性部分的边界部，使来自记录磁头的磁通只狭窄到软磁性粒子的部分，从而抑制磁通的扩散。另外，展示了将磁通狭缝层设在记录层上的垂直磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1684150A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200410083146.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括衬底、形成在该衬底上的软磁性衬层、形成在该软磁性衬层上的磁通限制层、形成在该磁通限制层上的中间层，以及形成在该中间层上的垂直磁化膜的记录层，其中，该磁通限制层部分由多个软磁部分和形成于相邻磁道区之间的非磁性部分组成，每个软磁部分沿多个磁道区的一个磁道区形成，该中间层由非磁性材料形成，并形成为能够覆盖该软磁部分和该非磁性部分的表面。
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