溅射沉积源、溅射沉积设备和操作溅射沉积源的方法

    公开(公告)号:CN109314035B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201680086705.7

    申请日:2016-07-12

    Abstract: 根据本公开内容的一个方面,提供一种溅射沉积源(100),所述溅射沉积源(100)具有至少一个电极组件(120),所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积。所述电极组件(120)包括:阴极(125),用于提供待沉积的靶材材料,其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)和在与第一沉积侧(10)相对的第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141);和阳极组件(130),具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142),所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上,以影响所述第一等离子体,所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上,以影响所述第二等离子体。根据第二方面,提供一种具有溅射沉积源的沉积设备。此外,提供操作溅射沉积源的方法。

    用于沉积有机材料的蒸发源、设备和方法

    公开(公告)号:CN108463572A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201680034644.X

    申请日:2016-01-15

    CPC classification number: C23C14/042 C23C14/24 C23C14/243

    Abstract: 描述一种用于在基板(10)上沉积源材料的蒸发源(100)。所述蒸发源包括:蒸发坩埚(104),其中所述蒸发坩埚被配置为蒸发源材料;分配单元(130),所述分配单元具有一个或多个出口(212),其中分配单元与蒸发坩埚流体连通,并且其中一个或多个出口被配置为用于在沉积方向(101)上将源材料提供到基板;第一冷却屏蔽布置(201),所述第一冷却屏蔽布置设为包括一个或多个开口(221);受热屏蔽布置(202),所述受热屏蔽布置设于距第一冷却屏蔽布置(201)的某个距离,其中受热屏蔽布置(202)包括一个或多个孔隙(222)。第一冷却屏蔽布置(201)布置在分配单元(130)与受热屏蔽布置(202)之间,并且蒸发源(100)被配置为限定源材料在沉积方向(101)上从一个或多个出口(212)穿过一个或多个开口(221)和一个或多个孔隙(222)到基板的路径。

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