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公开(公告)号：CN107636195A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201580078946.2
申请日：2015-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 德烈亚斯·勒普
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3438 , H01J37/3455
Abstract: 提供用于溅射沉积的沉积源(100、300、400、500)。所述沉积源包括用于提供要沉积的靶材料的阴极(110)、可移动磁体组件(120)和阳极组件(130)，所述阳极组件(130)能根据磁体组件(120)移动。
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公开(公告)号：CN112458404A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011030871.X
申请日：2016-05-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 德烈亚斯·勒普 , 哈拉尔德·沃斯特 , 迪特尔·哈斯
Abstract: 提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置布置在一个或多个出口(22)和基板(10)之间；接着通过至少局部地加热屏蔽装置(30)来清洁屏蔽装置(30)，以用于从屏蔽装置(30)释放至少部分的附接的源材料。根据另一方面，提供沉积设备，所述沉积设备可根据所述的方法操作。
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公开(公告)号：CN108027348A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580080071.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 德烈亚斯·勒普 , 乌韦·许斯勒 , 斯蒂芬·班格特
IPC: G01N29/02 , C23C14/54 , G01N29/24 , H01L41/113
Abstract: 描述一种用于测量已蒸发的材料的沉积速率的测量组件(100)。测量组件(100)包括：振荡晶体(110)，用于测量沉积速率；测量出口(150)，用于将已蒸发的材料提供到振荡晶体(110)；以及磁性关闭机构(160)，被配置为用于通过磁力而打开和关闭测量出口(150)。
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公开(公告)号：CN117083690A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202180096224.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·沃纳·兹巴于尔 , 德烈亚斯·勒普
IPC: H01J37/34
Abstract: 描述了一种用于在基板(10)上沉积材料的溅射沉积源(200)。该溅射沉积源包括成行布置的磁控溅射阴极的阵列(210)，用于在阵列(210)的前侧上的沉积区域(30)中涂布基板(10)。阵列(210)的至少一个磁控溅射阴极(100)包括可绕第一旋转轴(A1)旋转的第一旋转靶(110)；以及布置在第一旋转靶(110)中并被配置为在第一旋转靶的表面上提供封闭等离子体跑道(P)的第一磁体组件(120)，该封闭等离子体跑道在至少一个磁控溅射阴极(100)的第一侧面上及第二侧面上沿着第一旋转轴(A1)延伸。进一步描述了一种用于溅射沉积源的磁控溅射阴极及一种在基板上沉积材料的方法。
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公开(公告)号：CN109477204B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201680082636.2
申请日：2016-05-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 德烈亚斯·勒普 , 哈拉尔德·沃斯特 , 迪特尔·哈斯
Abstract: 提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置布置在一个或多个出口(22)和基板(10)之间；接着通过至少局部地加热屏蔽装置(30)来清洁屏蔽装置(30)，以用于从屏蔽装置(30)释放至少部分的附接的源材料。根据另一方面，提供沉积设备，所述沉积设备可根据所述的方法操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109477201A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780037647.3
申请日：2017-07-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·雷纳·舒尔特海斯 , 德烈亚斯·勒普 , 沃尔夫冈·布什贝克 , 于尔根·亨里奇 , 斯蒂芬·班格特
IPC: C23C14/04 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容提供了一种用于在真空沉积工艺中保持基板(10)或掩模的设备(100)。所述设备(100)包括：一个或多个第一电极和一个或多个第二电极，可连接到第一电源组件(230)；和一个或多个第三电极，布置在所述一个或多个第一电极与所述一个或多个第二电极之间并且可连接到第二电源组件(240)。
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公开(公告)号：CN116157548A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180051966.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/56
Abstract: 本案描述了一种用于在基板(10)上沉积蒸发的材料的蒸发源(100)。蒸发源(100)包括：用于蒸发材料的蒸发坩埚(30)；具有多个喷嘴(21)的蒸气分配器(20)，用于将蒸发的材料引导朝向基板；蒸气导管(40)在导管长度方向(A)上从蒸发坩埚延伸到蒸气分配器，并提供蒸发坩埚与蒸气分配器之间的流体连接，其中多个喷嘴中的至少一个喷嘴具有延伸于所述导管长度方向(A)上，或基本上平行于所述导管长度方向(A)的喷嘴轴线；以及在蒸气导管中的挡板布置(50)。进一步描述了包括这种蒸发源(100)的气相沉积设备(200)，以及在真空腔室中涂覆基板的方法。
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公开(公告)号：CN109477204A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201680082636.2
申请日：2016-05-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 德烈亚斯·勒普 , 哈拉尔德·沃斯特 , 迪特尔·哈斯
Abstract: 提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置布置在一个或多个出口(22)和基板(10)之间；接着通过至少局部地加热屏蔽装置(30)来清洁屏蔽装置(30)，以用于从屏蔽装置(30)释放至少部分的附接的源材料。根据另一方面，提供沉积设备，所述沉积设备可根据所述的方法操作。
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公开(公告)号：CN109314035A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201680086705.7
申请日：2016-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/34
Abstract: 根据本公开内容的一个方面，提供一种溅射沉积源(100)，所述溅射沉积源(100)具有至少一个电极组件(120)，所述至少一个电极组件(120)经构造以用于双侧溅射沉积。所述电极组件(120)包括：阴极(125)，用于提供待沉积的靶材材料，其中所述阴极经构造以用于在第一沉积侧(10)上产生第一等离子体(131)和在与第一沉积侧(10)相对的第二沉积侧(11)上产生第二等离子体(141)；和阳极组件(130)，具有至少一个第一阳极(132)和至少一个第二阳极(142)，所述至少一个第一阳极(132)布置于所述第一沉积侧(10)上，以影响所述第一等离子体，所述至少一个第二阳极(142)布置于所述第二沉积侧(11)上，以影响所述第二等离子体。根据第二方面，提供一种具有溅射沉积源的沉积设备。此外，提供操作溅射沉积源的方法。
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公开(公告)号：CN115074662A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210614575.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·班格特 , 哈拉尔德·沃斯特 , 德烈亚斯·勒普 , 戴特尔·哈斯
Abstract: 本文所述的数个实施方式涉及一种用以将已蒸发源材料沉积于基板上的蒸发源(20)。蒸发源(20)包括：一或多个分配管(106)，具有多个喷嘴(22)，其中所述多个喷嘴(22)的每个喷嘴被构造成用于朝向基板(10)导引已蒸发源材料的羽流；和遮蔽装置(30)，包括多个孔(32)，其中所述多个孔(32)的至少一个孔被构造成塑形从单一相关的喷嘴射出的已蒸发源材料的羽流(318)。根据其他方面，描述了一种用于蒸发源的遮蔽装置及数个将已蒸发源材料沉积于基板上的方法。
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