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公开(公告)号：CN108666229A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810469620.8
申请日：2018-05-16
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 一种晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备，所述晶圆弯曲度的确定方法包括：确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角；提供晶圆，将所述晶圆设置于所述晶圆基座的表面；测量所述晶圆的中心点至预设测量平面的距离，记为第一距离，所述预设测量平面平行于水平面；测量所述晶圆的边缘点至所述预设测量平面的距离，记为第二距离，所述边缘点位于所述晶圆的边缘；根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角，确定所述晶圆弯曲度。本发明方案可以在测量晶圆的弯曲度时，避免翻转晶圆，并且有助于降低测量时长，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN109300823B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811429623.5
申请日：2018-11-28
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本公开涉及一种超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法。该系统包括：承载台，所述承载台被配置为承载要被扫描的晶圆；超声波探头，超声波探头被配置为向晶圆发射扫描超声波以执行扫描，并且被定位在距晶圆一基准距离处；测距器，测距器被配置为测量超声波探头与晶圆之间的相对距离；以及控制器，控制器从测距器接收相对距离；其中，控制器被配置为基于基准距离与相对距离的差来调整超声波探头与晶圆之间的距离，使得扫描超声波的焦点位于晶圆的键合界面中。
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公开(公告)号：CN109378278B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811312276.8
申请日：2018-11-06
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 一种晶圆对位的方法，包括：将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面，并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光；获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度；获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度；根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异，判断晶圆的对位情况。所述晶圆对位的方法提高了晶圆对位判断的准确率。
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公开(公告)号：CN110112087A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910434004.3
申请日：2019-05-23
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明技术方案公开了一种晶圆传送盒及其控制方法，所述晶圆传送盒包括：滑轨结构件，设于晶圆传送盒侧壁；晶圆支撑件，具有滑动部和钳制部，所述滑动部与所述滑轨结构件配合，所述钳制部与晶圆配合；控制机构，与所述晶圆支撑件连接，以控制所述晶圆支撑件沿所述滑轨结构件滑动。本发明技术方案可以避免晶圆传送盒内的晶圆因机械臂造成的颗粒物污染对后续制程的影响，也可以避免机械臂刮伤晶圆传送盒内的晶圆，从而提升产品良率。
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公开(公告)号：CN109300823A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811429623.5
申请日：2018-11-28
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本公开涉及一种超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法。该系统包括：承载台，所述承载台被配置为承载要被扫描的晶圆；超声波探头，超声波探头被配置为向晶圆发射扫描超声波以执行扫描，并且被定位在距晶圆一基准距离处；测距器，测距器被配置为测量超声波探头与晶圆之间的相对距离；以及控制器，控制器从测距器接收相对距离；其中，控制器被配置为基于基准距离与相对距离的差来调整超声波探头与晶圆之间的距离，使得扫描超声波的焦点位于晶圆的键合界面中。
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公开(公告)号：CN108091585A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711348548.5
申请日：2017-12-15
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种氧化物的刻蚀工艺的监测方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有氧化物；刻蚀去除所述氧化物的至少一部分；采用化学溶液清洗所述半导体衬底的表面，所述化学溶液能够与所述半导体衬底反应，而未能与所述氧化物反应；检测清洗后的半导体衬底的表面，以确定是否存在残留的氧化物。本发明方案可以更准确地检测到氧化物刻蚀缺陷，从而及时地确认刻蚀工艺的异常状况，有助于保证产品良率。
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公开(公告)号：CN210160054U
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201920241821.2
申请日：2019-02-26
申请人： 德淮半导体有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种晶圆处理设备，所述晶圆处理设备包括机械手和机械手清洗装置，所述机械手清洗装置包括：清洗容器，所述清洗容器具有一允许机械手进出的开口；供气单元，包括至少一个气体输入端和至少一个气体输出端，分别连通至所述清洗容器，所述气体输入端用于向所述清洗容器内通入气体，所述气体输出端用于排出所述清洗容器内的气体；供液单元，包括至少一个液体输入端和至少一个液体输出端，分别连通至所述清洗容器，所述液体输入端用于向所述清洗容器内通入液体，所述液体输出端用于排出所述清洗容器内的液体。上述晶圆处理设备的机械手清洗装置能够及时去除机械手上的污染物。
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公开(公告)号：CN209298082U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201920196484.X
申请日：2019-02-14
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及一种基底清洗机台，用于对基底进行湿法清洗，所述基底具有彼此相对的第一表面和第二表面，基底清洗机台包括：腔体；以及设置于所述腔体内的承载结构、第一清洁部件以及第二清洁部件，其中，所述承载结构用于限定所述基底的位置并暴露所述第一表面和所述第二表面，所述第一清洁部件包括可移动的第一喷嘴，所述第一清洁部件位于所述第一表面朝向的一侧，所述第二清洁部件包括可移动的第一接触式清洁刷，所述第二清洁部件位于所述第二表面朝向的一侧。本实用新型通过采用承载结构限定基底的位置并暴露第一表面和第二表面，从而实现将基底的第一表面、第二表面和侧面的清洗放在同一个清洗腔体内且同时进行，提高了清洗效率。
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