公开(公告)号：CN205752219U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620147583.5

申请日：2016-02-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·F·R·托亚 ,  G·巴里拉罗 ,  M·萨姆比

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/145

Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件，以获得令人满意的发光效能。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。通过本公开的实施例，获得了改善的发光效能。