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公开(公告)号：CN110047817B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN113206154A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110139503.7
申请日：2021-02-01
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本公开的实施例涉及具有减少接通电阻的竖直传导电子功率器件及制造工艺。一种竖直传导电子功率器件，包括：主体，由第一表面和第二表面界定并且具有半导体材料的外延层，以及衬底。外延层由主体的第一表面界定，并且衬底由主体的第二表面界定。外延层至少包含第一传导区域和第二传导区域，具有第一掺杂类型，以及多个在外延层内延伸的绝缘栅极区域。衬底具有至少一个硅化物区域，该硅化物区域从主体的第二表面开始朝向外延层延伸。
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公开(公告)号：CN106291414B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201510860677.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
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公开(公告)号：CN106291414A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510860677.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。
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公开(公告)号：CN107785369B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106356434B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。
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公开(公告)号：CN106356434A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610108591.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L33/346 , H01L33/0054 , H01L33/145
Abstract: 本公开提供多孔硅发光器件及其制造方法。发光器件(1)包括：半导体本体(2)，具有第一导电性类型，具有正侧面(2a)和背侧面(2b)；多孔硅区域(10)，其在半导体本体(2)中在正侧面(2a)处延伸；以及阴极区域(8)，与多孔硅区域材料的势垒区域(12)，势垒区域(12)在阴极区域的底侧面处与阴极区域(8)直接接触地延伸，使得在使用中，电流排他地穿过阴极区域(8)的侧向部分在半导体本体中流动。(10)直接侧向接触。发光器件进一步包括电绝缘
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公开(公告)号：CN110047817A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910033479.1
申请日：2019-01-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法。半导体本体包括前侧和背侧，并且被配置成支撑电子电路。埋置区域被设置在半导体本体中，位于电子电路和背侧之间的位置处。埋置区域包括导电材料层和电介质层，其中电介质层被布置在导电材料层和半导体本体之间。导电路径在埋置区域和前侧之间延伸，以形成用于电气接入导电材料层的路径。由此形成电容器，其中导电材料层提供电容器极板，并且电介质层提供电容器电介质。另一个电容器极板由半导体本体提供，或者由埋置区域中的另一导电材料层提供。
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公开(公告)号：CN107785369A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710197884.8
申请日：2017-03-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/26513 , H01L21/3063 , H01L21/3081 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0665 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41741 , H01L29/66128 , H01L29/66666 , H01L29/66681 , H01L29/7816 , H01L29/8611 , H03K17/687 , H01L27/0629 , H01L21/8249 , H01L29/78 , H01L29/861
Abstract: 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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公开(公告)号：CN107343246A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201611248216.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B1/0644 , B06B1/067 , B06B1/0685 , G10K9/22 , G10K11/02 , H04R19/005 , H04R9/06 , H04R9/02 , H04R2400/11
Abstract: 本公开的声学器件具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。
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