公开(公告)号：CN102301043B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201080005900.5

申请日：2010-01-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。

公开(公告)号：CN107002281A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064424.7

申请日：2015-12-04

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 佐藤信也 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  柘植弘志 ,  中林正史

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供可得到在广范围内确保了螺旋位错减少了的区域的SiC单晶基板的SiC单晶的制造方法、及SiC单晶基板。上述SiC单晶基板通过以下的制造方法而制造：使用在从{0001}面偏离的方位具有偏离角的籽晶，在上述块状的碳化硅单晶生长的晶体端面的晶体周缘部形成晶面{0001}面，并且在进行获得所得的SiC单晶的超过50％的厚度的晶体生长的生长主工序之前，包含与上述生长主工序相比提高氮浓度、以生长气氛压力为3.9kPa以上且39.9kPa以下、籽晶的温度为2100℃以上且低于2300℃进行晶体生长的生长副工序。

公开(公告)号：CN102844474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。

公开(公告)号：CN102308031B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080006915.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  中林正史

IPC: C30B29/06 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/005 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法，能够使结晶性良好的碳化硅单晶块以较高的合格率稳定地成长，是一种碳化硅单晶制造用坩埚，具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖，使坩埚容器内的碳化硅原料升华，对籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶成长，在坩埚容器和坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部，并且设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽；此外，是具备这样的坩埚的碳化硅单晶的制造装置及使用了该装置的碳化硅单晶的制造方法。