公开(公告)号：CN103370454B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280008889.7

申请日：2012-04-20

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  矢代弘克 ,  伊藤涉

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/30 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。

公开(公告)号：CN103228827B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180055581.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  矢代弘克

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。

公开(公告)号：CN103370454A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008889.7

申请日：2012-04-20

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  矢代弘克 ,  伊藤涉

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/30 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，此外，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法。