公开(公告)号：CN106024849B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610124548.6

申请日：2016-03-04

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水达雄 ,  饭岛良介

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。

公开(公告)号：CN106415815B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580025703.2

申请日：2015-03-25

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  木村炼 ,  田中聪 ,  小桥一仁

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02027 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/027 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/562 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备SiC衬底(10)的步骤；将所述SiC衬底(10)固定到静电吸盘(20)上并且对所述SiC衬底(10)进行热处理的步骤，以及对被固定到所述静电吸盘(20)上并且被热处理的所述SiC衬底(10)执行离子注入处理的步骤。所述热处理的步骤包括：外周侧吸附步骤，其在所述SiC衬底(10)的外周区域(12)和所述静电吸盘(20)的外周部(22)之间产生静电吸引力，所述外周部(22)面对所述外周区域(12)；以及内周侧吸附步骤，其是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述SiC衬底(10)的内周区域(11)和所述静电吸盘(20)的内周部(21)之间产生静电吸引力，所述内周部(21)面对所述内周区域(11)。

公开(公告)号：CN109065630A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810569628.1

申请日：2012-12-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。

公开(公告)号：CN105593414B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201480052509.9

申请日：2014-08-27

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 大黑宽典 ,  加渡干尚 ,  龟井一人 ,  楠一彦

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B19/10

CPC分类号： C30B19/10 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/068 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。

公开(公告)号：CN105164811B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480016477.7

申请日：2014-02-13

申请人： 创世舫电子有限公司

发明人： 斯拉班缇·乔杜里 ,  乌梅什·米什拉 ,  尤瓦扎·多拉

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/28593 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种III‑N半导体HEMT器件，其包括在III‑N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III‑N材料结构的凹进部的部分比接近III‑N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III‑N材料结构之间。第一侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III‑N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

公开(公告)号：CN104051537B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410092534.1

申请日：2014-03-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程慷果 ,  李俊涛 ,  章贞 ,  朱煜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7853 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。

公开(公告)号：CN108231763A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711320246.7

申请日：2017-12-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 ,  马克·S·罗德尔

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

摘要： 提供了一种具有去耦合沟道的场效应晶体管及其制造方法。所述场效应晶体管(FET)包括基底和鳍，所述鳍包括从基底去耦合的至少一个沟道区。FET还包括：源电极和漏电极，位于所述鳍的相对侧上；栅极堆叠体，沿着所述鳍的沟道区的一对侧壁延伸。栅极堆叠体包括栅极介电层和位于栅极介电层上的金属层。FET还包括将鳍的沟道区与基底分隔开的氧化物分隔区。氧化物分隔区包括包含栅极堆叠体的栅极介电层的一部分的介电材料。氧化物分隔区从沟道区的面对基底的表面完全地延伸到基底的面对沟道区的表面。

公开(公告)号：CN108173525A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711453596.0

申请日：2017-12-28

申请人： 珠海晶讯聚震科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/10 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

CPC分类号： H03H9/205 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L29/045 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/183 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/0002 ,  H03H3/02 ,  H03H9/0523 ,  H03H9/131 ,  H03H9/568 ,  H03H9/587 ,  H03H9/588 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H01L2924/0001 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/1007 ,  H03H9/564 ,  H03H9/582

摘要： 滤波器封装件，包括夹裹在下电极与一系列上电极之间的一组压电薄膜；上电极上方覆盖有硅膜，其上方为腔体；下电极连接至转接线路板，其中下电极和转接线路板之间大部分由第一腔体隔开；硅膜具有既定的厚度并且与一系列上层腔体一起结合在上电极上方，每一上层腔体存在于一系列硅膜和普通硅盖之间，并与位于其下方的硅膜、上电极、压电薄膜居中对齐，上层腔体具有包括二氧化硅的侧壁。每个压电薄膜和所对应的上电极、硅膜一起通过钝化材料与相邻的压电薄膜、上电极与硅膜分隔开来。

公开(公告)号：CN108122960A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710464387.X

申请日：2017-06-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 宋学昌 ,  李昆穆

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033

摘要： 具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体装置其形成方法包括：形成第一外延区于第一鳍状结构上；以及形成第二外延区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一外延区上；以及回蚀刻部份的第二外延区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一外延区的上表面。此外，盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二外延区上。

公开(公告)号：CN108122771A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710731144.8

申请日：2017-08-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张世杰 ,  李承翰 ,  黄翊铭

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法和所得到的结构。在实施例中，生长源极/漏极区。一旦生长源极/漏极区，就重新成形源极/漏极区以便去除切面。可以使用蚀刻工艺实施重新成形，由此源极/漏极区的横向蚀刻速率大于源极/漏极区的垂直蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。