公开(公告)号：CN102763193A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009955.8

申请日：2011-02-22

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 佐佐木隆史 ,  今井义则 ,  栗林幸永 ,  中嶋定夫

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45578 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。

公开(公告)号：CN101595559B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。

公开(公告)号：CN101263581B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680033369.6

申请日：2006-09-12

申请人： 克里公司

发明人： A·阿加瓦尔 ,  S·-H·睿 ,  M·多诺弗里奥

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6606 ,  Y10S438/931

摘要： 公开了形成碳化硅半导体器件的方法。这些方法包括：在具有第一厚度的碳化硅衬底的第一表面上形成半导体器件；以及将承载衬底固定到碳化硅衬底的第一表面。承载衬底提供对碳化硅衬底的机械支撑。这些方法还包括：将碳化硅衬底减薄到小于第一厚度的厚度；在与碳化硅衬底的第一表面相对的减薄的碳化硅衬底上形成金属层；以及对金属层进行局部退火，以在与碳化硅衬底的第一表面相对的减薄的碳化硅衬底上形成欧姆接触层。碳化硅衬底经过分割，以提供分割为单个的半导体器件。

公开(公告)号：CN100517574C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580029690.2

申请日：2005-06-30

申请人： 克里公司

发明人： A·沃德三世 ,  J·P·海宁 ,  H·哈格尔伊特纳 ,  K·D·威伯尔

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  Y10S438/931

摘要： 公开了一种形成欧姆接触的方法以及所得的欧姆接触结构。该方法包括步骤：在碳化硅表面上形成镍和硅的淀积膜，形成温度低于这两种元素中的任何一个与碳化硅发生反应的温度，并且它们各自的比例使得淀积膜中的硅原子分数大于镍原子分数，并将这种镍与硅的淀积膜加热到一定温度，该温度下将形成硅原子分数大于镍原子分数的镍-硅化合物，但该温度低于这两种元素中的任何一个与碳化硅发生反应的温度。该方法可以进一步包括将该镍-硅化合物退火到高于上述淀积膜加热温度的温度，并处在其中不存在游离碳的相图区域中。

公开(公告)号：CN100470725C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480027404.4

申请日：2004-09-14

申请人： 克里公司

发明人： 卓塞弗·约翰·苏马克里斯

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L21/30608 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明公开了一种制备衬底和外延层的方法，该衬底和外延层在基于碳化硅的双极型器件中用于减小堆垛层错成核和减小正向电压(Vf)漂移。该方法包括如下的步骤：通过非选择性蚀刻来蚀刻碳化硅衬底的表面以清除表面和表面下损伤两者，此后通过选择性蚀刻来蚀刻相同的表面，由此至少从到达衬底表面的任何基本面位错中形成由蚀刻产生的结构，在随后外延层在所述衬底表面上的生长过程中所述基本面位错此后倾向于终止或者作为螺旋缺陷传播；以及此后在被二次蚀刻的表面上生长碳化硅的第一外延层。

公开(公告)号：CN101288166A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200580025205.4

申请日：2005-07-25

申请人： 美光科技公司

发明人： C·穆利

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  Y10S438/931

摘要： 存储器件包括存储单元阵列和外围器件。独立存储单元中的至少一些包括包含SiC的碳化部分。至少一些外围器件不包括任何碳化部分。晶体管包括第一源/漏极，第二源/漏极，在第一和第二源/漏极之间的包括包含SiC的半导电衬底的碳化部分的沟道以及在操作上与该沟道的相对侧相关联的栅极。

公开(公告)号：CN101136324A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710182153.2

申请日：2007-07-11

申请人： 夏普株式会社

发明人： 山本圭 ,  中村淳一

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  C30B25/14 ,  C30B31/16

CPC分类号： H01S5/34326 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04 ,  Y10S438/931

摘要： 在使未掺杂Mg的III－V族化合物半导体层结晶生长之后，在使Mg掺杂III－V族化合物半导体层结晶生长之前，设置了不从III族元素原料容器向反应区域(反应炉)供给III族元素原料TMG、TMA、TMI，另一方面从V族元素原料容器、掺杂物原料容器向反应区域(反应炉)分别供给V族元素原料PH3、Mg掺杂物原料的预流期间t11、t12。根据该半导体制造方法，能够正确控制Mg的掺杂分布图。

公开(公告)号：CN1812100A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129633.3

申请日：2005-12-14

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 油谷直毅

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/50 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/485 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11554 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  Y10S438/931 ,  Y10S438/942 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 具有良好的特性且能提高信赖度，还可以使用SiC晶片。在SiC芯片(9)上形成多个肖特基势垒二极管的单元(10)，各单元(10)具有独立的外部输出电极(4)。形成在SiC芯片(9)上的单元(10)中，只在合格的单元的外部输出电极(4)上形成凸点(11)(直径为数十～数百μm)，没有耐压或漏电电流多的不合格的单元的外部输出电极(4)上不形成凸点。由于不合格的单元上不形成凸点，所以肖特基势垒侧电极(3)依次通过外部输出电极(4)、凸点(11)、布线基板(12)的布线层(13)、外部导线(13a)与外部并联连接，只并联连接合格的单元(10)的外部输出电极(4)。

公开(公告)号：CN1088256C

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN96191499.8

申请日：1996-01-17

申请人： 艾利森电话股份有限公司

发明人： B·K·克罗恩兰德

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  Y10S438/931

摘要： 在一种产生半导体器件(1)中的P型α-SiC层(3b)的欧姆接触(5)的方法中，铝层、钛层和硅层被沉积在上述α-SiC层(3b)上，且上述沉积的层(5)被退火以便至少将上述沉积层(5)的一部分转变成铝钛硅化物。

公开(公告)号：CN1320970A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01117149.9

申请日：2001-04-26

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 中村孝夫

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/283 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L33/0083 ,  Y10S438/931

摘要： 获得了具有低接触电势的欧姆电极的化合物半导体器件的制造方法和化合物半导体器件的制造设备。该方法包括衬底清洗工序,其包括第一清洗步骤,在不大于250℃的温度范围内,加热含有第一导电类型杂质的化合物半导体衬底(1),用氯化氢腐蚀其表面,和第二清洗步骤,对在所述第一清洗步骤之后用氯化氢腐蚀过的所述化合物半导体衬底(1)进行游离基氢化处理。