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公开(公告)号：CN115663592B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202211369341.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/12 , H01S5/20 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/16 , C30B29/30 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01S5/32 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种激光泵浦铌酸锂光波导多波长混合集成光子器件，包括DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列和砷化镓衬底，DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列分别置于砷化镓衬底上，利用晶圆键合技术将DFB激光器键合到砷化镓衬底上，确保DFB激光器的输出光高度与铌酸锂光波导匹配；每个铌酸锂光波导都有一个DFB激光器进行泵浦。本发明通过晶圆键合和离子注入技术实现在砷化镓衬底上集成多个DFB激光器和多个铌酸锂光波导，该光子器件通过稀土离子的能级跃迁输出不同波段的激光，实现多种波长的混合输出和多模动态的防伪效果。同时，该光子器件结构紧凑，集成度高，能够实现高效的光子器件集成。
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公开(公告)号：CN115588899B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202211336257.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明属于光子集成与光波导技术领域，具体涉及一种激光泵浦铌酸锂波导光子集成器件及其制备与应用。本发明制备得到的光子集成器件中的边发射激光器泵浦LNOI光波导激光器中的铌酸锂波导能自发振荡激光输出，在铌酸锂波导两端刻蚀光栅形成谐振腔，能诱导光学波导内的稀土离子实现能级跃迁，输出对应波长的激光，从而达到耦合效率高的优点，且制备工艺简单，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN116128925B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202310086475.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T7/246
Abstract: 本发明公开了基于自适应权重和置信度的高光谱图像目标跟踪方法，获得归一化后第一帧、第t帧和相邻帧高光谱图像，再通过主成分分析法对图像降维分别获得三张单波段的灰度图像Z1、Zt和#imgabs0#根据双孪生网络以第一帧和相邻帧为模板图像，第t帧为搜索图像，分别提取它们降维后图像的深度特征，将模板图像与搜索图像的特征俩俩朴素相关，获得初始响应图R1和相邻响应图#imgabs1#采用自适应权重w1和w2将俩个响应图融合获得融合响应图#imgabs2#分别对其进行置信度确定和尺度估计并获得当前帧高光谱图像的跟踪目标，再依据置信度确定来判断是否让第t帧的相邻帧高光谱图像对第t帧高光谱图像进行更新。
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公开(公告)号：CN118136712A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410130787.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/076 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。
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公开(公告)号：CN116709893A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310658733.3
申请日：2023-06-05
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器，所述自旋霍尔纳米振荡器包含衬底，以及依次形成于衬底之上的非磁性薄膜层和二维磁性材料薄膜层。本发明提供的一种基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器，二维磁性材料与其他磁性材料相比具有可大面积制备，易加工，易堆叠等特点，二维磁性材料薄膜层具有较强的面外磁各向异性，基于二维磁性材料的自旋霍尔纳米振荡器在实现微波振荡的过程中所需的激发电流较低，能够实现更高的微波输出频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116598881A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310531779.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/02 , H01S5/024 , B23K26/53 , C23C28/04 , C23C14/48 , C23C14/06 , C23C14/58 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN116128925A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310086475.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T7/246
Abstract: 本发明公开了基于自适应权重和置信度的高光谱图像目标跟踪方法，获得归一化后第一帧、第t帧和相邻帧高光谱图像，再通过主成分分析法对图像降维分别获得三张单波段的灰度图像Z1、Zt和根据双孪生网络以第一帧和相邻帧为模板图像，第t帧为搜索图像，分别提取它们降维后图像的深度特征，将模板图像与搜索图像的特征俩俩朴素相关，获得初始响应图R1和相邻响应图采用自适应权重w1和w2将俩个响应图融合获得融合响应图分别对其进行置信度确定和尺度估计并获得当前帧高光谱图像的跟踪目标，再依据置信度确定来判断是否让第t帧的相邻帧高光谱图像对第t帧高光谱图像进行更新。
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公开(公告)号：CN118136712B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410130787.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 无锡学院
IPC: H10F10/172 , H10F10/142 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。
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公开(公告)号：CN116228524B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310113352.7
申请日：2023-02-14
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T3/00
Abstract: 谱图像获得高光谱图像序列降维结果。本发明公开了一种基于光谱差异的高光谱图像序列降维方法,载入的高光谱图像序列中的第1、t帧高光谱图像进行灰度归一化，分别获得归一化后的第1、t帧高光谱图像 并且确定第1帧高光谱图像 中的选定局部区域通过 中每个像素的光谱曲线确定最大、最小光谱曲线Cmax、Cmin；确定 中第i个像素在16个波段上的灰度平均值 通过获得 中第i个像素的去均值光谱曲线Ci；确定光谱差异图 通过 确定第t帧高光谱图像第b个波段第i个像素的量化偏差 通过确定第t帧高光谱图像16个波段的总差异图通过 确定重构总差异图 通过 确定(56)对比文件何高攀;杨桄;孟强强;熊翔.采用NSCT分解和主成分分析的高光谱异常检测.自动化与仪器仪表.2015,(05期),全文.葛亮;王斌;张立明.基于偏最小二乘法的高光谱图像波段选择.计算机辅助设计与图形学学报.2011,(11期),全文.
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公开(公告)号：CN115663592A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211369341.7
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/12 , H01S5/20 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/16 , C30B29/30 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B31/22 , C30B33/02 , H01S5/32 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种激光泵浦铌酸锂光波导多波长混合集成光子器件，包括DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列和砷化镓衬底，DFB激光器阵列、绝缘体上铌酸锂光波导阵列分别置于砷化镓衬底上，利用晶圆键合技术将DFB激光器键合到砷化镓衬底上，确保DFB激光器的输出光高度与铌酸锂光波导匹配；每个铌酸锂光波导都有一个DFB激光器进行泵浦。本发明通过晶圆键合和离子注入技术实现在砷化镓衬底上集成多个DFB激光器和多个铌酸锂光波导，该光子器件通过稀土离子的能级跃迁输出不同波段的激光，实现多种波长的混合输出和多模动态的防伪效果。同时，该光子器件结构紧凑，集成度高，能够实现高效的光子器件集成。
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