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公开(公告)号：CN102256901A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980150498.7
申请日：2009-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C01G25/00
CPC classification number: C01G25/00 , B82Y30/00 , C01G25/02 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/40
Abstract: 本发明的课题是提供加热条件比现有方法缓和且所得的胶体粒子几乎不发生二次凝聚的透明性极其良好的氧化钇稳定化氧化锆水性溶胶和有机溶剂溶胶的制造方法。作为解决本发明课题的方法是提供一种氧化钇稳定化氧化锆水性溶胶的制造方法，其特征在于，包括以下工序：将钇的羧酸盐与乙酸氧锆以Y/(Y+Zr)原子比为0.10～0.60的范围溶解在水中形成混合水溶液，将该混合水溶液在160～280℃下水热处理2小时以上。
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公开(公告)号：CN100503167C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200580015925.2
申请日：2005-05-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1409
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于在半导体器件制造工序中的平坦化研磨、和半导体器件的元件隔离工序中的研磨剂。其解决方案是一种含有具备羧基或其盐的水溶性有机化合物(A)成分、和二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分的研磨用组合物，其中二氧化铈粒子的水性溶胶(B)成分是将铈化合物保持在至少2个不同的烧成温度区域内烧成得到的二氧化铈粉末湿式粉碎直至[用激光衍射法测定的水性溶胶中的粒子的平均粒径(b1)]/[通过气体吸附法从比表面积换算的粒子的粒径(b2)]的比显示在1～4、和15～40中的任一范围而得到的。其中(A)成分是丙烯酸铵、甲基丙烯酸铵、氨基酸、和氨基酸衍生物。(B)成分是将铈化合物经过具有200～350℃的范围、和400～550℃的范围或700～850℃的烧成温度区域的烧成过程而得到的二氧化铈粉末进行湿式粉碎得到的。
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公开(公告)号：CN100337926C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200380102269.0
申请日：2003-10-28
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C01F17/00 , C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的氧化铈粒子的制造方法，是将铈化合物从常温开始升温并加热至400℃～1200℃的温度范围来制造氧化铈粒子的方法，其至少包含由2℃/小时～60℃/小时的升温速度组成的升温阶段，或者在升温过程中，经过在供给加湿了的气体的同时进行加热的阶段。利用本发明的方法可以获得一次粒子径的粒子径分布窄的氧化铈粉末，从该粉末制造出的水性氧化铈浆料，如果作为研磨剂使用，则不会降低研磨速度且可以获得高品质的研磨面，因此可提高研磨工序的生产率并可降低成本。本发明的水性氧化铈浆料，作为以二氧化硅为主成分的基板的最终加工用研磨剂是特别有用的。
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公开(公告)号：CN100337925C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN02105329.4
申请日：2002-02-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C01F17/00
CPC classification number: C09G1/02 , B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/53 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 接近单分散的结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法。含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶，该结晶性二氧化铈粒子，从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径是10～200nm，(用动态光散射法测得的粒径)/(从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径)之比处于2～6的范围内。上述含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶由溶胶生成工序及将得到的溶胶进行湿式粉碎的工序进行制造，该溶胶生成工序是，在惰性气体的环境下，在水性媒体中，使铈(III)和碱性物质进行反应，在生成氢氧化铈(III)的悬浊液之后，立即向该悬浊液吹入氧气或含氧的气体，生成含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。另外，在300～1100℃下焙烧碳酸铈，得到结晶性氧化铈粒子，再湿式粉碎上述粒子，由上述工序也可以制造含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。
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公开(公告)号：CN1248967C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN01144012.0
申请日：2001-12-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2002/01 , C01P2002/72 , C01P2004/10 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1472
Abstract: 提供用于以二氧化硅为主成分的基板的抛光的磨料。所述磨料含有一种溶胶，该溶胶是将具有0.005～1μm的粒径且以镧原子、钕原子或其组合原子为X，按换算成X/(Ce+X)的mol比为0.001～0.5的比例含有镧化合物、钕化合物或其组合所组成的添加成分的立方晶系的结晶氧化铈为主成分的粒子分散在介质中得到的。使用这种磨料，可以实现高速抛光，同时得到高质量的抛光表面。
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