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    一种石油仪器用抛光专用研磨液
    1.
    发明公开
    一种石油仪器用抛光专用研磨液 无效

    公开(公告)号：CN107118743A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：CN201710357051.3

    申请日：2017-05-19

    申请人： 南通华兴石油仪器有限公司

    发明人： 唐生荣

    IPC分类号： C09K3/14

    CPC分类号： C09K3/1472

    摘要： 本发明公开了一种石油仪器用抛光专用研磨液，由以下重量份的组分组成，氧化铝35‑45份、氧化硅15‑25份、三聚氰胺10‑15份、聚苯乙烯磺酸钠5‑10份、氧化铈11‑15份、甲基丙烯酸3‑9份、硅酸钠2‑5份、氧化锆1‑3份、乙酸乙脂4‑9份、十八烷基三甲基溴化胺4‑13份、聚氧乙烯醚2‑7份、二甲亚砜环己烷4‑8份、羟甲基纤维素3‑6份、螯合剂2‑8份。本发明的制备方法简单，易实现，本发明制备的研磨液的研磨精度和研磨效率均得到提升。

    油性金刚石研磨液
    3.
    发明公开
    油性金刚石研磨液 无效

    公开(公告)号：CN105368324A

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201510888450.3

    申请日：2015-12-07

    申请人： 苏州博洋化学股份有限公司

    发明人： 王国祥

    IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1472

    摘要： 本发明属于表面超精研磨技术领域，涉及一种油性金刚石研磨液，该研磨液由金刚石微粉、软化剂、螯合剂、表面活性剂以及烷烃类溶剂组成。本发明改性金刚石微粒分散性能好，长久稳定，软化剂具有软化金属表面氧化膜效果，研磨效率高，螯合物能防止研磨下来的金属再附着金属表面，研磨精度高。

    CMP研磨液及其应用、研磨方法
    4.
    发明公开
    CMP研磨液及其应用、研磨方法 有权

    公开(公告)号：CN105070657A

    公开(公告)日：2015-11-18

    申请号：CN201510505083.4

    申请日：2010-08-16

    申请人： 日立化成株式会社

    发明人： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

    IPC分类号： H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

    摘要： 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

    研磨方法
    5.
    发明公开
    研磨方法 失效

    公开(公告)号：CN104170065A

    公开(公告)日：2014-11-26

    申请号：CN201380013722.4

    申请日：2013-03-12

    申请人： 日立化成株式会社

    发明人： 三岛公二 ,  深泽正人 ,  西山雅也

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

    CPC分类号： H01L21/30625 ,  B81C1/00 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

    摘要： 本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。

    用于压花工艺的组合物
    7.
    发明授权
    用于压花工艺的组合物 失效

    公开(公告)号：CN1248982C

    公开(公告)日：2006-04-05

    申请号：CN02807487.4

    申请日：2002-03-27

    申请人： 昭和电工株式会社

    发明人： 山田二郎

    IPC分类号： C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C03C15/00 ,  C03C19/00 ,  C03C2204/08 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

    摘要： 本发明涉及一种用于将磁盘玻璃基材压花的组合物，它包含磨料粒、溶剂和氟化物。磁盘玻璃基材使用这样的方法生产，该方法包括将磁盘玻璃基材的表面压在物体表面上以便在0.98-196N的压力下进行滑动接触；将所述组合物加到该物体表面和磁盘玻璃基材表面中的至少一个上；使磁盘玻璃基材旋转，同时该物体保持受压，从而在磁盘玻璃基材的表面上进行压花。