公开(公告)号：CN101534967B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200780040995.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 肥高友也 ,  藤田佳孝 ,  中本宪史 ,  熊泽和久 ,  星英司

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/18 ,  C09K3/18

CPC classification number: C08K5/04 ,  B05D1/185 ,  B05D7/24 ,  B05D2202/00 ,  B05D2203/35 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/113 ,  C08K5/01 ,  C08K5/05 ,  C08K5/5419 ,  C09D7/63 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明的课题在于提供能够迅速形成杂质少且致密的单分子膜的有机薄膜形成方法。该有机薄膜形成方法包含：1)制备含羟基溶液的工序，将下述a)、b)和c)以使得含羟基溶液中的(A)和(B)的合计量为0.1重量％～80重量％的方式混合、进行水解而生成含羟基化合物，a)在有机溶剂中含有具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(A)和能与金属系表面活性剂相互作用的化合物(C)的有机薄膜形成用辅助剂，b)具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(B)，和c)水；2)将上述1)的工序中得到的含羟基溶液与有机溶剂混合从而制备有机薄膜形成用溶液的工序；和3)使上述2)的工序中得到的有机薄膜形成用溶液与基板接触的工序。

公开(公告)号：CN101087679B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200580044909.6

申请日：2005-12-28

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 肥高友也 ,  中本宪史 ,  藤田佳孝

IPC: B29C33/60 ,  C25D1/22

CPC classification number: B29C33/64 ,  B29C33/56 ,  C25D1/22

Abstract: 本发明涉及成型用模具或电铸母模，其特征在于，使模具或母模与含有式[1]：Rn-Si-X4-n……[1]；(式[1]中，R表示可以具有取代基的C1～20烃基、可以具有取代基的C1～20卤代烃基、含有连接基的C1～20烃基或含有连接基的C1～20卤代烃基，X表示羟基、卤素原子、C1～C6的烷氧基或酰氧基，n表示1～3的整数。)表示的硅烷类表面活性剂及可以与该硅烷类表面活性剂进行相互作用的催化剂的有机溶剂溶液进行接触，从而使模具表面或母模表面形成含有耐磨损性及剥离性能优异的有机薄膜的脱模层。

公开(公告)号：CN101534967A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040995.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 肥高友也 ,  藤田佳孝 ,  中本宪史 ,  熊泽和久 ,  星英司

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/18 ,  C09K3/18

CPC classification number: C08K5/04 ,  B05D1/185 ,  B05D7/24 ,  B05D2202/00 ,  B05D2203/35 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/113 ,  C08K5/01 ,  C08K5/05 ,  C08K5/5419 ,  C09D7/63 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明的课题在于提供能够迅速形成杂质少且致密的单分子膜的有机薄膜形成方法。该有机薄膜形成方法包含：1)制备含羟基溶液的工序，将下述a)、b)和c)以使得含羟基溶液中的(A)和(B)的合计量为0.1重量％～80重量％的方式混合、进行水解而生成含羟基化合物，a)在有机溶剂中含有具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(A)和能与金属系表面活性剂相互作用的化合物(C)的有机薄膜形成用辅助剂，b)具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(B)，和c)水；2)将上述1)的工序中得到的含羟基溶液与有机溶剂混合从而制备有机薄膜形成用溶液的工序；和3)使上述2)的工序中得到的有机薄膜形成用溶液与基板接触的工序。

公开(公告)号：CN100503029C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN03805639.9

申请日：2003-03-12

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 木村信夫 ,  藤田佳孝 ,  中本宪史

IPC: B01J19/00 ,  B32B9/00 ,  C09D183/08 ,  C09D185/00 ,  C03C17/30

CPC classification number: C09D183/08 ,  B05D1/185 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/28 ,  C03C17/30 ,  C03C2218/113 ,  C09D183/04 ,  C09D185/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以很快成膜，并且杂质少，形成致密的化学吸附膜的方法。其特征在于在向含有活泼氢的基材的表面上制造化学吸附膜的方法中，包含使在有机溶剂中用金属氧化物或金属醇盐部分加水分解生成物和水处理具有至少1种加水分解性基团的金属系表面活性剂而得到的溶液接触前述基材表面的工序。

公开(公告)号：CN101157078A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163166.5

申请日：2004-04-14

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 木村信夫 ,  藤田佳孝 ,  中本宪史 ,  肥高友也

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/18 ,  C08J7/06 ,  C03C17/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以迅速而且稳定地多次连续形成杂质少、致密的有机薄膜的有机薄膜制造方法。该有机薄膜制造方法是在基板表面上形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，其特征在于，包括把含有具有至少1个或更多个水解性基团的金属类表面活性剂和可以与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液与所述基板接触的工序(A)，将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在规定量范围。