公开(公告)号：CN105934420B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201580004697.2

申请日：2015-02-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边笃 ,  八木援 ,  小林义政 ,  川崎真司

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G13/00 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 层叠体10包括具有第一介电常数的第一材料层20和具有低于第一介电常数的第二介电常数的第二材料层30。第一材料层20包括第一粒子部22，所述第一粒子部22是BaTiO3中的一部分含有Ba、Ti以外的金属元素的化合物，和第一晶界部24，所述第一晶界部24含有ZnO且存在于第一粒子部22的粒子间。第二材料层30包括第二粒子部32和存在于第二粒子部32的粒子间的第二晶界部34。

公开(公告)号：CN104064534B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410108729.0

申请日：2014-03-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边笃 ,  西村升

IPC: H01L23/32 ,  C04B35/00

CPC classification number: H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种陶瓷部件以及半导体制造装置用部件，其在包含氧化镁的陶瓷部件以及半导体制造装置用部件中，具有性能得到改进的电极。半导体制造装置用部件20具有基材部22以及形成于基材部22上的陶瓷部件30。本发明的陶瓷部件30具有陶瓷基体32和设置在陶瓷基体32的一部分上的电极34，其中陶瓷基体32包含氧化镁、规定成分固溶于氧化镁中的氧化镁固溶体以及氧化锆中的至少一种，电极34包含作为电极成分的钌铝合金。陶瓷部件30是平板状部件，其具有电极34被埋设在其内部的结构。该电极34与从陶瓷部件30的下侧插入的供电部件26连接，由该供电部件26供给电力。

公开(公告)号：CN105934420A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580004697.2

申请日：2015-02-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边笃 ,  八木援 ,  小林义政 ,  川崎真司

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G13/00 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 层叠体10包括具有第一介电常数的第一材料层20和具有低于第一介电常数的第二介电常数的第二材料层30。第一材料层20包括第一粒子部22，所述第一粒子部22是BaTiO3中的一部分含有Ba、Ti以外的金属元素的化合物，和第一晶界部24，所述第一晶界部24含有ZnO且存在于第一粒子部22的粒子间。第二材料层30包括第二粒子部32和存在于第二粒子部32的粒子间的第二晶界部34。

公开(公告)号：CN103857643B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280049986.0

申请日：2012-10-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范 ,  渡边笃

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/04 ,  C04B35/58

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C04B35/053 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的陶瓷构件30包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。