公开(公告)号：CN104072140B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410108395.7

申请日：2014-03-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B37/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B21D53/02 ,  B32B9/005 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0012 ,  B32B2311/00 ,  B32B2311/24 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/575 ,  C04B35/62635 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  Y10T29/4935

Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氮化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有足够高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含含量最多的前三位的碳化硅、钛碳化硅和碳化钛，这三种物质按照含量从多到少的顺序排列，该复合材料是包含51‑68质量%的碳化硅、不含有硅化钛以及具有1%以下的开口孔隙率的复合材料。例如，该致密复合材料的特性包括：40‑570℃的平均线性热膨胀系数为5.4‑6.0ppm/K，导热系数为100W/m·K以上，以及四点弯曲强度为300MPa以上。

公开(公告)号：CN104045347B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410078454.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/622

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

Abstract: 提供一种复合材料，所述复合材料与氧化铝之间的线性热膨胀系数差很小，并且具有充分高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含37‑60质量%的碳化硅颗粒，以及各自含量均低于所述碳化硅颗粒的质量百分比的硅化钛、钛碳化硅和碳化钛，所述致密复合材料具有1%以下的开口孔隙率。该致密复合材料的特性包括，例如40‑570℃的平均线性热膨胀系数为7.2‑8.2ppm/K，导热系数为75W/mK以上，以及四点弯曲强度为200MPa以上。

公开(公告)号：CN104285290B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN107098686A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610821505.3

申请日：2011-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  胜田祐司 ,  早濑徹 ,  神藤明日美

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645

Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度(1500℃)进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度(最高温度)下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2％的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。

公开(公告)号：CN105679663A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610080984.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C04B35/581 ,  C04B35/04

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942 ,  H01L21/3065 ,  C04B35/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。

公开(公告)号：CN102639464B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180004702.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C04B35/581 ,  C04B35/04

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。

公开(公告)号：CN103857643B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280049986.0

申请日：2012-10-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范 ,  渡边笃

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/04 ,  C04B35/58

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C04B35/053 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明的陶瓷构件30包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。

公开(公告)号：CN103201235B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201180050721.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 相川贤一郎 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/3414

Abstract: 静电卡盘（1A）～（1F）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）～（11F）、埋设在基座内的静电卡盘电极（4）。基座包括板状主体部（3）、面对吸附面的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）为以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料，由以在氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相作为主相的陶瓷材料构成。

公开(公告)号：CN102639463B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201180004701.7

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。

公开(公告)号：CN103180266B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180051162.2

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 相川贤一郎 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 静电卡盘(1A)包括具有吸附半导体的吸附面(11a)的基座(11A)与埋设到该基座内的静电卡盘电极(4)。基座(11A)包括板状主体部(3)与表面耐腐蚀层(2)，介电层构成所述表面耐腐蚀层(2)，介电层的上表面构成所述吸附面(11a)。表面耐腐蚀层(2)由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°。