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公开(公告)号：CN1637097A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410097089.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa，而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物，在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN102232242A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148395.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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公开(公告)号：CN101023512B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200580031762.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。
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公开(公告)号：CN1769349B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510117095.6
申请日：2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa，而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物，在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100339954C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN03818946.1
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN1320073C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410097089.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物，含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂，作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂，作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物，具有如下固化性能，在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa，而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物，在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号：CN103333662A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241747.1
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号：CN101375376B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN101291778B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200680038577.5
申请日：2006-10-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了通过使氧化铈粒子的分散性达到最大状态而减小粗大粒子的含有比率，从而同时实现减少抛光损伤以及使抛光速度高速化的氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法。本发明是关于含有氧化铈粒子、分散剂和水的氧化铈浆料，其氧化铈重量/分散剂重量比为20～80，本发明还涉及含有上述氧化铈浆料及水溶性高分子等添加剂的氧化铈抛光液。
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