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公开(公告)号：CN103333662A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310241747.1
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号：CN1989600A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024367.6
申请日：2005-08-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 为了增大非负荷下的研磨速度和负荷下的研磨速度之差，添加赋予溶解促进作用的无机盐、保护膜形成剂、表面活性剂等，通过由以上组成构成的CMP用研磨液，使为了提高在CMP中的生产性的高速化、以及为了布线的微细化和多层化的布线的平坦化同时实现。
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公开(公告)号：CN101346805A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049346.4
申请日：2006-12-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液，它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液，它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水，基本上不含磨料；通过使用这种CMP研磨液，可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷，从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量，优选相对于每1升上述CMP研磨液，分别为0.1～5重量％、0.05～5重量％以及0.01～5M，上述pH调整剂的量，为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5～2.5的必需量。
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公开(公告)号：CN101058711A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710104636.0
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09K13/00 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F1/16
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102232242A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148395.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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公开(公告)号：CN101058711B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710104636.0
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09K13/00 , B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F1/16
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
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公开(公告)号：CN101346805B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680049346.4
申请日：2006-12-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/04
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液，它是在研磨时与氧化剂混合使用的CMP研磨液，它含有铜防锈剂、水溶性高分子、pH调整剂及水，基本上不含磨料；通过使用这种CMP研磨液，可以在对铜进行化学研磨时有效地抑制凹状缺陷，从而形成可靠性高的布线。上述防锈剂、水溶性高分子以及氧化剂的含量，优选相对于每1升上述CMP研磨液，分别为0.1～5重量％、0.05～5重量％以及0.01～5M，上述pH调整剂的量，为用于将上述CMP研磨液的pH值调整至1.5～2.5的必需量。
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公开(公告)号：CN101058712B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710104637.5
申请日：2003-06-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C23F1/16 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液，其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水，所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液，在半导体器件的配线形成工序中，能够在保持低的蚀刻速度的同时，充分提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生，能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。
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公开(公告)号：CN100550311C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN02819886.7
申请日：2002-10-08
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 新神户电机株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B53/02
CPC classification number: B24B37/22 , B24B37/24 , B24D11/00 , B24D18/0009 , H01L21/31053
Abstract: 在平坦化半导体元件制造工序中的层间绝缘膜、BPSG膜、浅槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，通过使用在接触被研磨物的表面上有机纤维处于露出状态的研磨垫片，有效并高速进行氧化硅膜等被研磨物的凹凸平坦化，同时减少基板上研磨损伤的发生。
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