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公开(公告)号：CN102965025A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210434219.3
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。
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公开(公告)号：CN102473621A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028913.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1472 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。此外，本发明的CMP研磨液含有铈系研磨粒、分散剂、聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在规定范围。
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公开(公告)号：CN101375376A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003934.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
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公开(公告)号：CN100336179C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03809590.4
申请日：2003-04-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02
CPC classification number: B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水，pH为2～5，其中，氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上，以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上；或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上，以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大，蚀刻速度小，并且研磨磨擦小，因此，可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1982401A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710001563.2
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101029214B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710096425.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳-碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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公开(公告)号：CN101305450A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680042016.2
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α－取代衍生物所组成的组中的任一种N－单取代衍生物或N，N－二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN101291778A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680038577.5
申请日：2006-10-18
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了通过使氧化铈粒子的分散性达到最大状态而减小粗大粒子的含有比率，从而同时实现减少抛光损伤以及使抛光速度高速化的氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法。本发明是关于含有氧化铈粒子、分散剂和水的氧化铈浆料，其氧化铈重量/分散剂重量比为20～80，本发明还涉及含有上述氧化铈浆料及水溶性高分子等添加剂的氧化铈抛光液。
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公开(公告)号：CN101023512A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031762.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。
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公开(公告)号：CN1675331A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03818946.1
申请日：2003-08-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。
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