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公开(公告)号:CN103333662A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201310241747.1
申请日:2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液,其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液,所述第1添加剂为4-吡喃酮系化合物,该4-吡喃酮系化合物为下述通式(1)所表示的化合物,式中,X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基,其中,所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
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公开(公告)号:CN102352187A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN201110208059.6
申请日:2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水,其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度,同时抑制侵蚀和裂缝的发生,使得被研磨面的平坦性高。
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公开(公告)号:CN101307209B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200810108406.6
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D7/00 , C09D5/25
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的相对电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号:CN101432854B
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200780014892.9
申请日:2007-04-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液,其特征在于,其是在第1化学机械研磨工序后,在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液,所述工序研磨的基板包含:表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层,其中,第1化学机械研磨工序为:研磨基板的导电性物质层,使所述凸部的阻挡层露出,第2化学机械研磨工序为:研磨露出的阻挡层,使得所述凸部的层间绝缘膜露出;其中,研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为以下,所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量;所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。
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公开(公告)号:CN101307209A
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200810108406.6
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D7/00 , C09D5/25
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的相对电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号:CN1769349A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510117095.6
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号:CN1639283A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN03804816.7
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/02 , C09D183/04 , C09D5/25
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号:CN104178088A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410406599.9
申请日:2009-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法。所述研磨剂含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂,所述添加剂含有选自阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一种,所述阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类选自以下的(1)~(3)组成的组:(1)葡糖胺、半乳糖胺等以及它们的衍生物组成的组中的具有氨基糖的多糖类;(2)重均分子量100以上的乙抱亚胺聚合物或其衍生物;(3)含有选自由通式(Ⅰ)~(Ⅳ)组成的组中的至少一种单体成分的聚合物。
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公开(公告)号:CN102017091A
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200980114267.0
申请日:2009-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/76224
Abstract: 本发明涉及含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂的研磨剂,该添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。本发明提供一种在使绝缘膜平坦化的CMP技术中可以高速且低研磨损伤地研磨绝缘膜、且氧化硅膜与停止膜的研磨速度比高的研磨剂。而且提供一种保管该研磨剂时的研磨剂组件及使用有该研磨剂的基板研磨方法。
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公开(公告)号:CN1637097A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410097089.4
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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