CMP用研磨液及研磨方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101432854B

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200780014892.9

    申请日:2007-04-24

    CPC classification number: H01L21/7684 B24B37/044 C09G1/02 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液,其特征在于,其是在第1化学机械研磨工序后,在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液,所述工序研磨的基板包含:表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层,其中,第1化学机械研磨工序为:研磨基板的导电性物质层,使所述凸部的阻挡层露出,第2化学机械研磨工序为:研磨露出的阻挡层,使得所述凸部的层间绝缘膜露出;其中,研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为以下,所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量;所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。

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