公开(公告)号：CN101375376B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200780003934.9

申请日：2007-01-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  榎本和宏 ,  山岸智明 ,  小山直之

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO2膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。

公开(公告)号：CN102352187A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110208059.6

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。

公开(公告)号：CN100587918C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200680042016.2

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所组成的组中的任一种N-单取代衍生物或N，N-二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN101511538A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033479.7

申请日：2007-09-13

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  山岸智明 ,  木村忠广 ,  阿久津利明

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法，所述CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，并且上述水溶性高分子含有以还原性无机酸盐和氧作为氧化还原聚合引发剂，将含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中的至少一种的单体进行聚合所形成的聚合物。据此，在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可以有效地进行氧化硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN101333418A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810146155.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。

公开(公告)号：CN100377310C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200480003202.6

申请日：2004-01-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  吉田诚人 ,  小山直之 ,  大槻裕人 ,  山岸智明 ,  榎本和宏 ,  芳贺浩二 ,  仓田靖

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α-取代化合物所构成的组中的任一种的N-单取代化合物骨架或N，N-二取代化合物骨架的化合物。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。

公开(公告)号：CN103333661A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310241712.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。

公开(公告)号：CN102686360A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080051291.7

申请日：2010-09-14

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉川茂 ,  阿久津利明 ,  深泽正人

IPC: B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的CMP研磨液的第1方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物和水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.00001质量％以上0.01质量％以下。本发明的CMP研磨液的第2方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物、使含有具有阴离子性取代基的乙烯基化合物作为单体成分的组合物聚合而得到的阴离子性高分子化合物或其盐、以及水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.000001质量％以上且不足0.05质量％。

公开(公告)号：CN102585765A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110430594.6

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。

公开(公告)号：CN101560373A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910203503.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。