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公开(公告)号：CN104681702A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410704314.X
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
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公开(公告)号：CN104681686A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310637458.3
申请日：2013-12-02
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层，包含一第一半导体层，一第二半导体层以及一主动层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，其中该半导体迭层具有一第一表面；多个凹部自该第一表面穿透该第一半导体层与该主动层，露出该第二半导体层；一第一接触结构位于该第一表面上，且与该第一表面欧姆接触；一第二接触结构位于该些凹部中与该第二半导体层欧姆接触；一第一焊接部位于该第一表面上，通过该第一接触结构与该第一半导体层电连结；以及一第二焊接部位于该第一表面上，通过该第二接触结构与该第二半导体层电连接；其中，该第一接触结构包含多个延伸电极，且该些多个延伸电极之间包含至少部分该第二接触结构。
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公开(公告)号：CN109119520B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810843513.7
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
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公开(公告)号：CN104659176B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201310595821.X
申请日：2013-11-22
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。
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公开(公告)号：CN104681702B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201410704314.X
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
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公开(公告)号：CN103996761B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410046186.4
申请日：2014-02-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一透明基板；至少一半导体发光叠层位于透明基板上，其中半导体发光叠层包含靠近透明基板的一第一半导体层、远离透明基板的一第二半导体层，及位于第一半导体层与第二半导体层之间的一发光层，其中发光层可发出一光线；及一接合层位于透明基板与半导体发光叠层之间，该接合层包含靠近该第一半导体层的第一接合层，其中该第一半导体层具有第一折射率n1，该透明基板具有第二折射率n2，该第一接合层具有折射率nb1，并且各该折射率满足以下关系式:(n1*n2)1/2+0.3≥nb1≥(n1*n2)1/2‑0.3。
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