-
公开(公告)号：CN108630720B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810358864.9
申请日：2012-09-06
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
-
公开(公告)号：CN108807623A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810843494.8
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
-
公开(公告)号：CN104659176A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310595821.X
申请日：2013-11-22
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。
-
公开(公告)号：CN103681724A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210328231.6
申请日：2012-09-06
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
-
公开(公告)号：CN108807623B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810843494.8
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
-
公开(公告)号：CN109119520A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810843513.7
申请日：2014-11-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体叠层具有一侧边、一第一表面、及一相对于第一表面的第二表面，其中半导体叠层还包含一导通孔从第一表面往第二表面延伸；一透明导电层位于第二表面上；一第一焊接部及一第二焊接部位于第一表面上，并与半导体叠层电连接；以及一绝缘层位于第一焊接部与半导体叠层之间及第二焊接部与半导体叠层之间。
-
公开(公告)号：CN103681724B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201210328231.6
申请日：2012-09-06
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
-
公开(公告)号：CN103996761A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410046186.4
申请日：2014-02-10
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/02
摘要： 本发明公开一种发光元件，包含一透明基板；至少一半导体发光叠层位于透明基板上，其中半导体发光叠层包含靠近透明基板的一第一半导体层、远离透明基板的一第二半导体层，及位于第一半导体层与第二半导体层之间的一发光层，其中发光层可发出一光线；及一接合层位于透明基板与半导体发光叠层之间，其中接合层具有渐变折射率，使发光层发出的光线在从发光层射向透明基板的一行进方向上，在接合层与透明基板的各临界角皆大于35度。
-
公开(公告)号：CN109659412A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811228259.6
申请日：2013-11-22
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种半导体发光元件，包含：一半导体迭层具有一第一表面，其中第一表面包含多个突出部与多个凹部；一第一电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一第二电极位于第一表面上与半导体叠层电连接；一透明导电层共形地覆盖第一表面，且位于第一电极与半导体叠层之间，其中第一电极包含一第一焊接部与一第一延伸部，第一延伸部位于第一焊接部与透明导电层之间，且共形地覆盖透明导电层。
-
公开(公告)号：CN108630720A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810358864.9
申请日：2012-09-06
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.04 秒)
