半导体集成电路装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1321451C

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN03825520.0

    申请日:2003-07-14

    Abstract: 半导体集成电路装置(10),由LSI功能部(11)和在其上形成的屏蔽布线层(22)构成。LSI功能部(11),由半导体基板(12)和第1绝缘膜(13)构成,在半导体基板(12)上,例如形成包含MOS晶体管(14)的多个电路元件。屏蔽布线层(22),由在第2绝缘膜(17)上依次形成的下部屏蔽布线(23)、第3绝缘膜(24)、上部屏蔽布线(25)及第4绝缘膜(26)构成。下部屏蔽布线(23)和上部屏蔽布线(25)各自被配置的配置方向,互相正交。

    屏蔽布线的布线构造
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101373758B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200810166690.2

    申请日:2004-08-27

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种屏蔽布线的布线构造,是在路径端部折回并连接起来的多条屏蔽布线,多条屏蔽布线的每一条,都与多条屏蔽布线中的与自身路径不同的路径的屏蔽布线相邻,多条屏蔽布线是通过配置多个基本单元而形成的,基本单元中配置的多条布线的路径互不相交,基本单元中,多条布线的路径与半导体芯片的某一边构成90度,基本单元内的多条布线的路径的一端和另一端,分别配置在基本单元相对的2边,使备好的多个基本单元中的一个基本单元的多条布线的一端或另一端,连接备好的多个基本单元中的另一个基本单元的多条布线的一端或另一端,来实施基本单元的配置,形成所述屏蔽布线,由端部单元将屏蔽布线的布线路径端部折回并连接。

    基准电流电路
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101276227A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810084546.4

    申请日:2008-03-25

    Abstract: 本发明提供了一种基准电流电路,即使在使用具有非常低温度依存性的电阻的电阻器的情形下也能够降低基准电流的温度依存性。该基准电流电路包括:接收温度补偿的基准电压VBG并且在输出点处产生电压Vout1的非反相放大器电路110;电流源电路120,由通过电阻器连接到输出点的晶体管Q1和接收等于在Q1的端子间产生的电压VBE1的电压并且产生相应的电流的晶体管Q2。电路110(i)包括第三晶体管Q3,在它的端子间产生的电压VBE3具有与VBE1相同的温度特性,以及(ii)被构造为使得Vout1是(a)基于基准电压VBG的温度补偿电压成分和(b)等于电压VBE3的电压成分之和。

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