公开(公告)号：CN101160652A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012436.6

申请日：2006-04-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2924/30105

Abstract: 用于在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀的制造方法中，在任意时间在半导体晶片上执行各向同性刻蚀。在所述第一表面中，将绝缘膜放置在划分区中。第二表面与第一表面相对，并且在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，从而通过去除与划分区相对应的部分、并且随后继续在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面进行充电的状态下执行等离子体刻蚀来从刻蚀底部部分上暴露出绝缘膜，从而去除了器件形成区中与绝缘膜接触的角落部分。

公开(公告)号：CN101036224A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033895.8

申请日：2005-10-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  有田洁 ,  中川显 ,  野田和宏

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 在包括由在半导体晶片上分别网格状排列的假想分割线以及作为半导体晶片外边界轮廓的圆周线划分的多个假想分割区域的半导体晶片中，放置掩模来使得与各个去除区域相对应的全部晶片表面露出，其中去除区域是由晶片的圆周线和假想分割线划分的近似三角形区域以及一些假想分割区域，然后在掩模放置侧表面执行等离子体蚀刻，由此半导体晶片沿分割线被分割成单独的半导体器件，同时晶片中对应于去除区域的部分被去除。

公开(公告)号：CN101151703A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010657.X

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32532 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 等离子体处理设备包括：作为下电极(3)的台(31)；作为下电极的对电极的上电极(4)；以及其中放置了下电极和上电极的处理腔室(2)。所述设备向位于下电极和上电极之间的等离子体发生空间(A)提供气体，以产生等离子体，使得处理对象(W)受到等离子处理。在所述设备中，上电极由以下部分构成：本体部分(41)，具有供气端口(T)；透气多孔盘(43)，位于本体部分(41)的下侧上，以便封闭供气端口(T)；以及支架构件(41)，用于支撑多孔盘的外部边缘部分。用于吸收由于在等离子体处理中的热膨胀导致的应力的狭缝(S)以一定间距形成于多孔盘的外部边缘部分中。

公开(公告)号：CN1823411A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020648.X

申请日：2004-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  中川显

IPC: H01L21/68

Abstract: 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备，包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26，27)，该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时，附接环元件(29)。当采用小晶片时，安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙，并覆盖吸入孔(3c)。此外，附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置，可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。