公开(公告)号：CN112313191A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980042179.8

申请日：2019-07-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  岩井健太郎 ,  深泽孝幸 ,  门马旬 ,  佐野孝

IPC: C04B35/587 ,  H01L23/15 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。

公开(公告)号：CN112292912A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201980042187.2

申请日：2019-08-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  深泽孝幸 ,  门马旬 ,  岩井健太郎

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/584 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。

公开(公告)号：CN100468850C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580015250.1

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅博史 ,  根岸信保 ,  佐藤麻子 ,  瀧泽由美子 ,  长谷部裕之 ,  佐藤雄一 ,  门马旬

IPC: H01M8/04 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/04291 ,  H01M8/04089 ,  H01M8/04171 ,  H01M8/04194 ,  H01M8/1011 ,  H01M2008/1095 ,  Y02E60/523

Abstract: 燃料电池，具备阴极催化剂层(2)、阳极催化剂层(3)、被配置于前述阴极催化剂层(2)和前述阳极催化剂层(3)之间的质子传导性膜(6)、将液体燃料的气化成分供至前述阳极催化剂层(3)的燃料气化层(10)，将在前述阴极催化剂层(2)生成的水通过前述质子传导性膜(6)供至前述阳极催化剂层(3)，前述液体燃料为浓度超过50摩尔%的甲醇水溶液或液体甲醇。

公开(公告)号：CN1703799A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02821206.1

申请日：2002-10-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 关野正宏 ,  佐藤麻子 ,  门马旬 ,  小口雅之

IPC: H01M10/40 ,  H01M4/02 ,  H01M4/58

CPC classification number: H01M10/0569 ,  H01M10/052 ,  H01M2300/0025 ,  H01M2300/0042

Abstract: 本发明提供由非水溶剂与溶于该非水溶剂中电解质组成的非水电解质，其中非水溶剂包含碳酸亚乙酯(EC)，碳酸异丙烯酯(PC)，γ－丁内酯(GBL)和除了EC，PC，和GBL之外的一种溶剂作为第四组分，且该非水溶剂满足下式(1)－(4)要求：15≤x≤50 (1)；30≤y≤75 (2)；0＜z＜30 (3)；0＜p≤5 (4)；其中，x是碳酸亚乙酯占非水溶剂总体积之百分数(％)，y是碳酸异丙烯酯占非水溶剂总体积之百分数(％)，z是γ－丁内酯占非水溶剂总体积之百分数(％)，p是第四组分占非水溶剂总体积之百分数(％)。