公开(公告)号：CN103681655A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310390927.6

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  片山雅博 ,  佐藤亚美 ,  岛行德

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。