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公开(公告)号：CN117501808A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280041854.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/24
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。该显示装置包括第一发光器件、与第一发光器件相邻的第二发光器件、与第二发光器件相邻的第三发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一绝缘层具有第一发光器件与第二发光器件之间的第一区域以及第二发光器件与第三发光器件之间的第二区域，第二绝缘层具有位于第三发光器件所包括的下部电极上的区域，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第一发光器件所包括的第一有机化合物层的厚度不同，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第二发光器件所包括的第二有机化合物层的厚度不同，在从截面看时，第一绝缘层以使离第三发光器件的下部电极的底面的高度与离第二发光器件的下部电极的底面的高度相同的方式设置。
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公开(公告)号：CN117397045A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280034866.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN117321662A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035772.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种开口率高的显示装置或摄像装置。显示装置包括发光元件、受光元件、第一树脂层及遮光层。发光元件中依次层叠有第一像素电极、第一有机层及公共电极。受光元件中依次层叠有第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一有机层包括第一发光层，第二有机层包括光电转换层。遮光层在从平面看时具有位于发光元件与受光元件之间的部分。第一树脂层以覆盖发光元件及受光元件的方式设置。另外，第一树脂层具有位于发光元件与遮光层之间以及受光元件与遮光层之间的部分。并且，第一树脂层在与遮光层重叠的区域中具有其厚度小于发光元件与受光元件的排列间隔的部分。
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公开(公告)号：CN110226219B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880008351.3
申请日：2018-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K50/00 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体提供一种电特性良好的半导体装置。提供一 处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种 硅和氮的第三绝缘层的第七工序。成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的(56)对比文件US 2011003418 A1,2011.01.06US 2011263091 A1,2011.10.27US 2013137255 A1,2013.05.30US 2014206133 A1,2014.07.24US 2015340505 A1,2015.11.26US 2016225795 A1,2016.08.04US 2016284859 A1,2016.09.29
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公开(公告)号：CN116848954A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280014889.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种功耗低的显示装置。提供一种高清晰的显示装置。提供一种对比度高的显示装置。该显示装置包括第一绝缘层上的多个像素，其中，多个像素各自包括沿着第一绝缘层的开口部设置的第一导电层、第一导电层上的第二绝缘层、第一导电层上及第二绝缘层上的EL层以及EL层上的公共电极，第二绝缘层在第一导电层上并与第一导电层接触，且配置在EL层的下方，相邻像素的第一导电层隔着包含无机材料的第三绝缘层和包含有机材料的第四绝缘层分离，第一导电层的侧面和EL层的侧面具有与第三绝缘层接触的区域，并且，第四绝缘层在第三绝缘层上并与第三绝缘层接触，且配置在公共电极的下方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112997235B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201980073880.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H10K59/131 , H01L29/786 , H05B33/02 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 提高显示装置的制造成品率。提高显示装置的对ESD的耐性。显示装置包括衬底、显示部、连接端子、第一布线、第二布线。第一布线与连接端子电连接且包括位于连接端子与显示部之间的部分。第二布线与连接端子电连接，位于连接端子与衬底的端部之间，且在衬底的端部包括侧面露出的部分。显示部包括晶体管。晶体管包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极。此外，半导体层及第二布线包含金属氧化物。
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公开(公告)号：CN116530233A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077307.X
申请日：2021-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的显示装置的制造方法。在绝缘层上形成阳极，在阳极上形成EL层，在EL层上形成阴极。不设置分隔壁选择性地去除阳极、EL层及阴极各自的一部分而形成多个发光元件。以覆盖多个发光元件的方式形成具有透光性的导电层。多个发光元件的每一个的阴极与导电层电连接。
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公开(公告)号：CN116529857A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077071.X
申请日：2021-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 降低显示装置的布线的寄生电容。提供一种同时实现高分辨率及高帧频的显示装置。提供一种高清晰度的显示装置。应用于显示装置的半导体装置在第一布线与晶体管之间包括第一树脂层，在第一树脂层与晶体管之间包括第一绝缘层，在晶体管与第二布线之间包括第二树脂层，在第二树脂层与晶体管之间包括第二绝缘层。第一绝缘层及第二绝缘层具有包含氮的无机绝缘膜。再者，第一树脂层及第二树脂层的介电常数分别低于第一绝缘层及第二绝缘层，并且第一树脂层及第二树脂层的厚度分别为第一绝缘层及第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。
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公开(公告)号：CN109075206B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201780022620.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。一种半导体装置，包括：氧化物半导体膜；栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的上述氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含相同的元素，并且，第一氧化物半导体膜具有其结晶性低于第二氧化物半导体膜的区域。
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公开(公告)号：CN114361180A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111285522.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
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