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公开(公告)号：CN102573165A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110283326.6
申请日：2011-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/22 , H01L33/56 , H01L51/5275
Abstract: 本发明的固态发光元件包含具有透射可见光的性质的结构体和在其顶侧和底侧的每一个上的凹凸结构；提供在所述结构体的一个表面上的高折射率材料层；和提供在所述高折射率材料层上的具有大于或等于1.6的折射率的发光体。所述高折射率材料层的一个表面比其与所述结构体接触的另一表面平坦。所述高折射率材料层的折射率大于或等于1.6。所述结构体的折射率大于1.0且小于所述高折射率材料层的折射率。
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公开(公告)号：CN110071219B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811630083.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN106480415A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610709365.0
申请日：2016-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L29/786
Abstract: 提供一种结晶性高的氧化物。或者，提供一种具有缺陷少的结晶结构的氧化物。或者，提供一种缺陷能级密度低的氧化物。或者，提供一种杂质浓度低的氧化物。或者，提供一种能够形成上述氧化物的成膜装置。成膜装置包括靶材架、衬底架、第一电源及第二电源，其中靶材架与第一电源电连接，衬底架与第二电源电连接，第二电源具有施加比接地电位高的电位的功能。
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公开(公告)号：CN105981191A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480065826.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0097 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L2251/5376
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN105794321A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065816.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5044 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384 , H01L2251/558
Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是提供一种使用荧光及磷光且有利于实用化的多色发光元件。该发光元件具有包含主体材料和荧光物质的第一发光层、具有空穴传输性的物质及具有电子传输性的物质的分离层以及包含两种形成激基复合物的有机化合物和能够将三重态激发能转换为发光的物质的第二发光层的叠层结构。注意，从第一发光层发射的光在比第二发光层短波长一侧具有发射光谱峰的发光元件是更有效的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119451453A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410954479.6
申请日：2024-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/123 , H10K59/122 , H10K59/38
Abstract: 本公开涉及显示装置。显示装置包括第一至第三发光器件，第一发光器件包括第一阳极、第一阴极及位于第一阳极与第一阴极之间的第一发光层，第二发光器件包括第二阳极、第二阴极及位于第二阳极与第二阴极之间的第二发光层，第三发光器件包括第三阳极、第三阴极及位于第三阳极与第三阴极之间的第三发光层及第四发光层，第四发光层位于第三发光层与第三阴极之间并与第三发光层接触，第一至第三发光器件的发光颜色不同，第一及第三发光层包含第一发光物质，第二及第四发光层包含第二发光物质，并且第一及第二发光物质的发射光谱的峰波长不同。
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公开(公告)号：CN117440723A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310901104.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/35 , H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 提供一种新颖显示装置、显示模块及电子设备。该显示装置包括第一像素、第二像素、第三像素及第四像素，第一像素包括第一发光器件及第一层，第一发光器件向第一层发射第一光，第一光具有强度在蓝色光的波长范围及绿色光的波长范围内的发射光谱，第一层包含将蓝色光及绿色光转换为红色光的颜色转换材料。第二像素包括第二发光器件及第二层，第二发光器件向第二层发射第二光，第二层具有透射蓝色光的功能。第三像素包括第三发光器件及第三层，第三发光器件向第三层发射第三光，第三层具有吸收蓝色光且透射绿色光的功能。第四像素包括第四发光器件及第四层，第四发光器件向第四层发射第四光，并且第一发光器件至第四发光器件具有相同的发射光谱。
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公开(公告)号：CN114616681A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075473.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/108 , H01L21/34
Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的晶体管、晶体管上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及开口区域，开口区域包括第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体以及第三绝缘体上的第四绝缘体，第三绝缘体包括到达第二绝缘体的开口，第四绝缘体在开口内与第二绝缘体的顶面接触。
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公开(公告)号：CN110071219A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811630083.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN105981191B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201480065826.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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