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公开(公告)号：CN119586340A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055078.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C5/04 , G11C11/405 , H10D30/01 , H10D84/03 , H10D84/80 , H10D84/83 , H10D30/67 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B10/10 , H10B41/70 , H10B63/00 , H10B63/10 , H10B99/00 , H10N70/00 , H10N99/00
Abstract: 提供一种存取速度快的半导体装置。半导体装置包括第一存储层、第二存储层以及电路层。第一存储层包括多个第一存储电路，第二存储层包括第二存储电路，电路层包括选择器。选择器包括多个输入端子及输出端子。第一存储层位于电路层的下方，第二存储层位于电路层的上方。多个第一存储电路都与多个输入端子电连接，第二存储电路与输出端子电连接。选择器具有使选自多个输入端子中的一个与选择器的输出端子间成为导通状态的功能。另外，半导体装置具有将从第二存储电路读出的数据通过选择器写入到第一存储电路的功能。
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公开(公告)号：CN112286436B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202011162772.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/04883 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种耗电量少的数据处理装置的驱动方法。数据处理装置包括检测出与其接近或接触的物体诸如手指或手掌的柔性位置输入部。该柔性位置输入部与显示部重叠，并包括第一区域、与第一区域对置的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的第三区域。在使用者握持第一区域或第二区域的一部分一定时间的情况下，选择性地停止对该部分供应图像信号。或者，选择性地停止该部分中的检测。
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公开(公告)号：CN117711460A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311459574.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C7/06
Abstract: 本发明涉及半导体装置。所述半导体装置可包括：读出放大器，包括第一和第二电路；以及存储单元，所述半导体装置与第一和第二控制线电连接，第一电路包括第一、第二晶体管和第一反相器，第二电路包括第三、第四晶体管和第二反相器，第一晶体管切换第一反相器的输入端子和输出端子的导通和非导通，第二晶体管切换第一反相器的输出端子和第二布线的导通和非导通，第一和第二晶体管的栅极分别与第一和第二控制线电连接，第三晶体管切换第二反相器的输入端子和输出端子的导通和非导通，第四晶体管切换第二反相器的输出端子和第一布线的导通和非导通，第三和第四晶体管的栅极分别与第一和第二控制线电连接，并且第四晶体管的栅极与第二控制线电连接。
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公开(公告)号：CN117594601A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310956113.8
申请日：2023-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H10K59/131 , H10K59/121 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种高速驱动的显示装置。该显示装置包括多个像素、第一信号线、第二信号线、扫描线以及绝缘层，其中，第一信号线具有隔着绝缘层与第二信号线重叠的区域，多个像素各自包括第一晶体管和第二晶体管，第一信号线在属于包括第一像素的一个列的像素的每一个中被用作第一晶体管的源极和漏极中的一个，在第一像素中，第一晶体管包括第一半导体层，第一半导体层具有与绝缘层中的第一开口的侧壁接触的区域，第二信号线在属于包括第一像素的一个行的像素的每一个中被用作第二晶体管的源极和漏极中的一个。
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公开(公告)号：CN117396938A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280037789.0
申请日：2022-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种显示装置，该显示装置包括与显示部重叠的多个天线。该显示装置包括具有柔性的第一衬底及第二衬底，第一衬底与第二衬底之间设置有导电层及多个显示元件，第一衬底与第二衬底重叠的一区域具有曲面部，具有与一区域重叠的区域的导电层具有带曲率的区域，多个显示元件设置在第一衬底与导电层之间，导电层包括多个开口，显示元件具有与开口重叠的区域，并且导电层具有天线的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276353A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311426812.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/792 , G11C16/04 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L29/788 , H01L29/786 , H10B43/27 , H10B41/27 , H10B43/10
Abstract: 提供一种半导体装置、半导体晶片、存储装置及电子设备。一种包括第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体及第一半导体的半导体装置，其中第一半导体包括第一面及第二面。第一导电体的第一侧面在于第一半导体的第一面，第一绝缘体的第一侧面在于第一导电体的第二侧面。第二绝缘体在于包括第一绝缘体的第二侧面及顶面、第一导电体的顶面、第一半导体的第二面的区域。第三绝缘体在于第二绝缘体的形成面，第四绝缘体在于第三绝缘体的形成面。第二导电体在于形成有第四绝缘体的区域中的与第一半导体的第二面重叠的区域。第三绝缘体具有储存电荷的功能。通过对第二导电体供应电位，隔着第二绝缘体在第一半导体的第二面和第三绝缘体之间引起隧道电流。
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公开(公告)号：CN110832640B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880042866.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B43/27 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B41/27
Abstract: 提供一种存储容量大的半导体装置。一种包括第一至第四绝缘体、第一导电体、第二导电体及第一半导体的半导体装置，其中第一半导体包括第一面及第二面。第一导电体的第一侧面在于第一半导体的第一面，第一绝缘体的第一侧面在于第一导电体的第二侧面。第二绝缘体在于包括第一绝缘体的第二侧面及顶面、第一导电体的顶面、第一半导体的第二面的区域。第三绝缘体在于第二绝缘体的形成面，第四绝缘体在于第三绝缘体的形成面。第二导电体在于形成有第四绝缘体的区域中的与第一半导体的第二面重叠的区域。第三绝缘体具有储存电荷的功能。通过对第
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公开(公告)号：CN109037207B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810867703.2
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/12 , H10K59/131 , H10K59/123
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素部；设置在像素部的外侧的驱动电路部；以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路，其中，像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管，晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层，并且，保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN116830183A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180078770.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种在小型化、低功耗化或运算装置的配置自由度方面良好的显示装置。该显示装置包括像素电路、驱动电路及功能电路。驱动电路具有输出用来在像素电路进行显示的图像信号的功能。功能电路包括CPU，该CPU包括具有与备份电路电连接的触发器的CPU核心。该显示装置包括第一层及第二层。第一层包括驱动电路及CPU。第二层包括像素电路及备份电路。第一层包括在沟道形成区域中包含硅的半导体层。第二层包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。CPU具有根据流过像素电路的电流量校正图像信号的功能。
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公开(公告)号：CN116783639A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012781.9
申请日：2022-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明的一个方式提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示装置。提供包括第一一组像素、第二一组像素、第一导电膜及第二导电膜的显示装置，其中第一一组像素包括第一一组发光器件及第一一组像素电路，第一一组像素电路包括第一一群像素电路，第一一群像素电路包括第一像素电路。第二一组像素包括第二一组发光器件及第二一组像素电路，第二一组发光器件与第二一组像素电路电连接，第二一组像素电路包括第二一群像素电路，第二一群像素电路包括第二像素电路。第一导电膜与第一一群像素电路及第二一群像素电路电连接。第二导电膜与第一像素电路及第二像素电路电连接。
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