公开(公告)号：CN104733539A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410798404.X

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/473 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。

公开(公告)号：CN103633098A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。