-
公开(公告)号：CN105278196A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510408263.0
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
-
公开(公告)号：CN105448934A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510991864.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L29/06
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L21/77 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L29/06 , H01L29/0603 , H01L29/786
Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
-
公开(公告)号：CN103515395A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310237104.X
申请日：2013-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
-
公开(公告)号：CN105448934B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510991864.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L29/06
Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
-
公开(公告)号：CN105261653B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510411819.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , H01L27/1288
Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105278196B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510408263.0
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
-
公开(公告)号：CN103633098B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310307336.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L33/0041 , H01L21/77 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
-
公开(公告)号：CN104733539B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410798404.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。
-
公开(公告)号：CN103515395B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310237104.X
申请日：2013-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
-
公开(公告)号：CN105261653A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510411819.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/0847
Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.022 seconds)
