公开(公告)号：CN105448934B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510991864.9

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN103633098B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN103515395B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201310237104.X

申请日：2013-06-08

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  植村典弘 ,  野田刚史 ,  铃村功 ,  金子寿辉

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。

公开(公告)号：CN102969338B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210322625.0

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 野田刚史 ,  河村哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；覆盖栅极电极且包含绝缘物质的栅极绝缘层；与所述栅极绝缘层的上表面接触的氧化物半导体膜；分别与位于所述氧化物半导体膜的上表面且相互分离的第一区域和第二区域接触的源极电极及漏极电极；与所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域接触且包含所述绝缘物质的沟道保护膜。俯视观察时，与所述栅极电极重叠的所述氧化物半导体膜的上表面的区域被包含于第三区域且很小，所述氧化物半导体膜中除了与所述栅极电极重叠的部分的一部分以外的部分的电阻比与所述栅极电极重叠的部分低。

公开(公告)号：CN102969338A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210322625.0

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社日本显示器东

Inventor： 野田刚史 ,  河村哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；覆盖栅极电极且包含绝缘物质的栅极绝缘层；与所述栅极绝缘层的上表面接触的氧化物半导体膜；分别与位于所述氧化物半导体膜的上表面且相互分离的第一区域和第二区域接触的源极电极及漏极电极；与所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域接触且包含所述绝缘物质的沟道保护膜。俯视观察时，与所述栅极电极重叠的所述氧化物半导体膜的上表面的区域被包含于第三区域且很小，所述氧化物半导体膜中除了与所述栅极电极重叠的部分的一部分以外的部分的电阻比与所述栅极电极重叠的部分低。

公开(公告)号：CN103633098A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN105448934A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510991864.9

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN103515395A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310237104.X

申请日：2013-06-08

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  植村典弘 ,  野田刚史 ,  铃村功 ,  金子寿辉

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。