公开(公告)号：CN119012805A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410596905.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 羽成淳 ,  三宅秀和

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种显示装置，大体而言，根据实施方式，显示装置具备：多个子像素，其分别包含下电极、与上述下电极相对的上电极、以及配置在上述下电极与上述上电极之间并根据上述下电极与上述上电极的电位差而发光的有机层；和分隔壁，其包含下部及从上述下部的侧面突出的上部，将上述多个子像素分别包围。在一个实施方式中，上述分隔壁具备：第1分隔壁，该第1分隔壁的上述下部包含相互层叠的第1导电层及第2导电层；和第2分隔壁，该第2分隔壁的上述下部包含绝缘层及配置在该绝缘层之上的上述第2导电层。

公开(公告)号：CN105448934B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510991864.9

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN105261653B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510411819.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  三宅博都 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。

公开(公告)号：CN105278196B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

公开(公告)号：CN103633098B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN107403806A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710266582.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  渡部一史 ,  石井良典 ,  三宅秀和 ,  山口阳平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。

公开(公告)号：CN104733539A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410798404.X

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/473 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种能够抑制初期Vth损失及Vth偏移的底栅·沟道蚀刻型薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有：配置在衬底(101)上的栅极电极布线(102)、栅极绝缘膜(103)、成为沟道层的氧化物半导体层(104)、源极电极布线(105a)与第一硬掩模层(106a)的层叠膜、漏极电极布线(105b)与第二硬掩模层的层叠膜、和保护绝缘膜(107)。

公开(公告)号：CN103633098A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310307336.8

申请日：2013-07-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 植村典弘 ,  野田刚史 ,  三宅秀和 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32)，具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上，晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。

公开(公告)号：CN117881214A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311312638.4

申请日：2023-10-11

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  德田尚纪

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K59/60

Abstract: 本发明涉及显示装置、显示装置。一个实施方式涉及的显示装置包括多个显示元件、和包围所述多个显示元件中的各自的隔壁。所述多个显示元件分别包含下电极、与所述下电极相对的上电极、及配置在所述下电极与所述上电极之间并对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光的有机层。所述隔壁包含导电性的下部及从所述下部的侧面突出的上部。此外，所述隔壁具有贯通所述下部及所述上部的开口。

公开(公告)号：CN107403806B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201710266582.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  渡部一史 ,  石井良典 ,  三宅秀和 ,  山口阳平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。