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公开(公告)号：CN112210765A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010406402.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
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公开(公告)号：CN102272897A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004140.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室(101)，具有反应室(2a)；支撑部(15)，被收容在所述反应室(2a)内，载置有具有处理室(10a)的基板(10)，并控制所述基板(10)的温度；簇射极板(5)，被收容在所述反应室(2a)内，以与所述处理室(10a)对置的方式配置，并向所述基板(10)提供工艺气体；以及压力调整板(51)，将设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(24)分为在气体导入口(42)侧形成的第一空间(24a)与在所述簇射极板(5)侧形成的第二空间(24b)，所述基板(10)与所述簇射极板(5)之间的距离为3mm以上、10mm以下。
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公开(公告)号：CN110832624B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。
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公开(公告)号：CN112210765B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010406402.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834252A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010284602.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明的基板处理装置，具备：多段收纳多张基板的卡匣；能够密闭地收纳所述卡匣的腔室；使所述卡匣在所述腔室内升降的升降机构；将所述基板相对于所述卡匣搬出搬入的搬运机器人；以及控制所述升降机构及所述搬运机器人的动作的控制部，在所述腔室的侧面部设置有在将所述基板搬入所述卡匣和从该卡匣搬出时开口的搬出搬入口，所述搬运机器人具备载置所述基板的机械臂，所述机械臂能够在水平方向上移动并从所述搬出搬入口插入所述卡匣内，且能够在所述卡匣内上升或下降，所述控制部在所述卡匣内使所述机械臂下降的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣上升，在所述卡匣内使所述机械臂上升的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣下降。
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公开(公告)号：CN110832624A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044714.9
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。
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公开(公告)号：CN104576476B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201410550430.0
申请日：2014-10-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板传送装置，其能够提高在传送因自重而变形的基板时的基板传送的精确度。本发明的一个实施方式所涉及的基板传送装置(1)具有机械手部(20)、多个定位垫(23a、23b、23c)和至少一个支承垫(24)。机械手部(20)具有用于放置能够因自重而变形的基板(W)的放置面(201)。多个定位垫(23a、23b、23c)以自放置面(201)起的第1高度(H1)支承放置在该放置面(201)上的基板(W)的周缘。至少一个支承垫(24)设置于放置面(201)，其支承放置在该放置面(201)上的基板W的下表面，具有高于第1高度(H1)的第2高度(H2)。
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公开(公告)号：CN102947481A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080067571.7
申请日：2010-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C16/4585 , H01L21/68707 , H01L21/68742
Abstract: 提供在真空中使基板迅速反转的技术。本发明的基板反转装置（20）具有：在作为真空槽的腔室（21）内使基板（50）升降的升降机构（60）；具有以夹持基板（50）的方式保持基板的把持部（41a、42a）的基板保持机构（4A～4D）；以及使基板保持机构（4A～4D）的把持部（41a、42a）旋转来使基板（50）的上下关系反转的基板旋转机构（30）。在本发明中，在保持基板（50）的状态下，使基板旋转机构（30）以沿水平方向延伸的直线为旋转轴旋转180°。
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公开(公告)号：CN102272896A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004139.3
申请日：2010-01-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 该等离子体处理装置，包括：处理室，由腔室(2)、电极法兰(4)、和绝缘法兰(81)构成，并具有反应室(α)；支撑部(15)，收容在所述反应室(α)内，载置有基板(10)；簇射极板(5)，收容在所述反应室(α)内，以与所述基板(10)对置的方式配置，并向所述基板(101)提供工艺气体；多个气体提供部(8)，被设置在所述电极法兰(4)与所述簇射极板(5)之间的空间(31)内，与多个气体导入口(34)分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板(5)独立提供不同组成的所述工艺气体；以及电压施加部(33)，在所述簇射极板(5)与所述支撑部(15)之间施加电压。
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