公开(公告)号：CN106024567B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201610192032.5

申请日：2016-03-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 爱德华·奥古斯蒂尼克 ,  崎山幸则 ,  谭泰德 ,  法亚兹·谢赫

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/513 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52

摘要： 本发明涉及具有倾斜约束环的等离子体处理系统和结构。一种等离子体室包括基座、上部电极、以及环形构件。所述基座具有支撑晶片的中心区域和外接中心区域的台阶区域。倾斜区域外接台阶区域，倾斜区域具有从所述台阶区域向下倾斜的顶表面，使得所述顶表面的内边界和所述中心区域之间的垂直距离小于所述顶表面的外边界和所述中心区域之间的垂直距离。所述上部电极被耦合到射频电源。所述环形构件的内周边被限定成当所述环形构件被设置在所述基座上时围绕所述基座的中心区域，并且所述环形构件的一部分具有随所述环形构件的半径增大而增大的厚度。

公开(公告)号：CN107400879A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710647166.6

申请日：2017-08-01

申请人： 成都天马微电子有限公司

发明人： 华梓同 ,  吴勃 ,  扈映茹 ,  谌文娟 ,  王东花 ,  邹志杰

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  G02F1/13

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/52 ,  G02F1/1303

摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板成膜设备及方法。该显示面板成膜设备包括：至少一个真空腔体，每个真空腔体形成有真空腔室；气体输送系统，与真空腔体连接，用于将气体输送至真空腔室；待成膜基板，设置于真空腔室中；气体流速调控装置，设置于真空腔室中，位于待成膜基板成膜的一侧，且与待成膜基板具有一定间距，输入真空腔室的气体流经气体流速调控装置后，在待成膜基板上成膜；气体流速调控装置用于调控流经气体流速调控装置的不同位置的气体的流速。本发明实施例解决了成膜设备的成膜膜厚及膜质存在差异性的问题，实现了在整张基板不同位置和在不同基板之间成膜的一致性。

公开(公告)号：CN103959484B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201280054453.1

申请日：2012-10-19

申请人： 应用材料公司

发明人： S·盛 ,  L·张 ,  Z·袁 ,  R·王 ,  A·佐

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01L21/0257 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。

公开(公告)号：CN106367729A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610511764.6

申请日：2016-06-30

申请人： 友技科株式会社

发明人： 桥本卫 ,  铃木光博 ,  阿部浩二

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/32 ,  C23C16/40 ,  C23C16/509

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/272 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够在立体形状的基材的侧面使膜均匀性良好地成膜的等离子体CVD装置。为此，本发明的一方式是一种等离子体CVD装置，其具备：腔室(11)；提供高频输出的高频电源(6)；配置在所述腔室内，与所述高频电源电连接，并在表面具有用于配置基材(12)的凸部(14a)的第1电极(14)；和向所述腔室内导入原料气体的气体导入口(20)。

公开(公告)号：CN104025266B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280064757.6

申请日：2012-12-13

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社大亨

发明人： 山田纪和 ,  立川俊文 ,  永海幸一 ,  池成达也 ,  前原大辅

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32155 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

摘要： 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。

公开(公告)号：CN103493602B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180070316.2

申请日：2011-09-22

申请人： 株式会社岛津制作所

发明人： 铃木正康

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32532 ,  H05H2001/4645

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：阳极电极；阴极电极，在与阳极电极相向的面具有设置着开口部的贯通孔；气体供给装置，对阳极电极与阴极电极间导入工艺气体；以及交流电源，对阳极电极与阴极电极间供给交流电力，在阳极电极与阴极电极间使工艺气体成为等离子体状态。

公开(公告)号：CN105529238A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610018038.0

申请日：2009-04-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 古田学 ,  崔永镇 ,  崔寿永 ,  朴范洙 ,  约翰·M·怀特 ,  苏希尔·安瓦尔 ,  罗宾·L·泰内

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45561 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572

摘要： 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。

公开(公告)号：CN102177769B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN200980140428.3

申请日：2009-10-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 约翰·M·怀特 ,  崔寿永 ,  卡尔·A·索赖瑟恩 ,  约瑟夫·库德拉 ,  白宗薰 ,  志坚·杰瑞·陈 ,  史蒂芬·麦克丰森 ,  罗宾·L·迪纳

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内耦接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有耦接至该遮蔽框架的第一端及耦接至该腔室侧壁的第二端。

公开(公告)号：CN101622375B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN200880006171.8

申请日：2008-02-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 约翰·M·怀特 ,  栗田真一 ,  罗宾·L·泰内

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/44 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3325

摘要： 本发明一般包括一种用于等离子体增强化学气相沉积设备中的背板强化设备。当处理大面积基板时，延伸横跨腔室的背板也相当大。藉由框架结构来支撑背板的中央部分，则可维持背板为实质平坦。可选择地，可视需要而调整背板的轮廓以符合处理的特定需求。

公开(公告)号：CN102918180B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180021285.1

申请日：2011-05-18

申请人： 应用材料公司

发明人： J·库德拉 ,  白宗薰 ,  J·M·怀特 ,  R·L·蒂纳 ,  S·安瓦尔

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： B05B1/185 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  Y10T137/6851

摘要： 本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用的屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件的喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板的外缘边缘。多片式框组件容许气体分配板膨胀，而不会产生可能导致电弧放电的间隙。在其它实施例中，绝缘体经定位而使集中于气体分配板外缘的电场位在绝缘体中，从而降低电弧放电的可能性。